全局翘曲：测量晶圆整体偏离理想平面的程度，通常以最大峰谷高度差或曲率半径来表征。
局部翘曲：评估晶圆表面局部区域（如边缘、中心）的微小变形，对光刻和键合工艺影响显著。
翘曲方向：确定晶圆弯曲的凹凸方向，即判断是向上凸起（笑脸）还是向下凹陷（哭脸）。
应力分布图：通过翘曲数据反演计算晶圆内部或薄膜层中的应力大小与分布情况。
热致翘曲：在温度变化过程中，实时监测晶圆因热膨胀系数不匹配而产生的动态翘曲行为。
工艺前后对比：比较同一片晶圆在关键制造步骤（如薄膜沉积、退火）前后的翘曲度变化。
曲率半径计算：将测量的翘曲高度数据转换为曲率半径，用于定量评估应力和机械性能。
厚度均匀性关联分析：分析晶圆厚度变化与翘曲形态之间的相关性，排查工艺一致性。
翘曲随时间演变：在特定环境（如恒温恒湿）下，长期监测晶圆翘曲的稳定性或松弛现象。
模态分析：识别晶圆翘曲的主要振动模式形状，有助于理解其结构刚度和共振特性。
硅衬底晶圆：包括不同直径（如200mm、300mm）、不同电阻率和晶体取向的裸硅片。
化合物半导体晶圆：如砷化镓、碳化硅、氮化镓等材料，因其异质外延常存在较大应力。
带有多层薄膜的晶圆：沉积了介电层、金属布线层、钝化层等薄膜结构的器件晶圆。
临时键合与解键合晶圆：在三维集成和薄晶圆处理过程中，键合界面应力导致的翘曲。
封装用中介层：硅中介层或玻璃中介层在TSV形成及RDL布线后的平面度评估。
研磨减薄后的晶圆：背面研磨后晶圆因应力释放和厚度减小而产生的严重翘曲问题。
划片前的整片晶圆：在切割成单个芯片前，进行全片扫描以预测后续贴装和封装可靠性。
柔性/可拉伸衬底：如聚酰亚胺等聚合物基板，其本征柔性和热机械性能导致的变形。
非接触式激光扫描法：使用激光位移传感器沿晶圆表面进行多点或线扫描，获取三维形貌数据。
白光干涉仪法：利用光的干涉原理，高精度、高分辨率地测量表面高度差，适合微细翘曲。
莫尔条纹法：通过基准光栅与晶圆反射像叠加产生莫尔条纹，直观反映整体的翘曲轮廓。
全自动晶圆平面度测量仪: 集成高精度激光传感器和自动传输机构，可进行全地图扫描和数据分析。
白光干涉三维表面轮廓仪: 提供纳米级纵向分辨率，适用于薄膜应力和微观形貌的精密测量。
激光共焦位移计阵列系统: 使用多个探头同时测量，大幅提升大面积晶圆的检测速度。
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