热扩散系数：指征热量在碳化硅单晶内部传递快慢的关键物性参数，是评价其导热性能的核心指标。
比热容：单位质量的碳化硅单晶温度升高一度所吸收的热量，是计算导热系数所需的基础热物性参数。
导热系数：综合热扩散系数、比热容和密度计算得出，直接反映材料传导热量的能力。
热膨胀系数：测量温度变化时碳化硅单晶尺寸的变化率，对评估其在热循环下的结构稳定性至关重要。
热冲击抗力：评估碳化硅单晶承受急剧温度变化而不损坏的能力，与热扩散和热应力直接相关。
热稳定性：在高温环境下，碳化硅单晶热扩散性能随时间或温度变化的保持能力。
各向异性热扩散：针对不同结晶取向（如沿c轴或a轴）测量热扩散系数的差异。
温度依赖性：测定热扩散系数在宽温区（如室温至1000℃）内随温度变化的规律曲线。
缺陷对热传导的影响：评估微管、位错等晶体缺陷对热扩散性能的散射与削弱作用。
掺杂浓度相关性：研究不同种类及浓度的掺杂元素（如氮、铝）对碳化硅单晶热扩散性能的影响规律。
4H-SiC单晶：目前功率半导体器件应用最广泛的碳化硅晶型，其热性能是研发重点。
6H-SiC单晶：较早实现商业化的晶型，仍需对其热物性进行精确表征以用于特定器件。
半绝缘型SiC单晶：用于微波射频器件衬底，其低导热缺陷下的热管理性能需要评估。
导电型SiC单晶：用于功率器件外延衬底，高热扩散性能对器件散热和可靠性至关重要。
不同掺杂衬底：涵盖氮掺杂（n型）、铝掺杂（p型）等不同电学特性的单晶衬底材料。
不同取向晶片
(0001)偏角衬底：实际外延生长常用的偏切衬底，需要测试其特定切割方向的热扩散性能。
低缺陷密度单晶：针对经过特殊工艺降低微管、位错密度的优质单晶材料进行性能标定。
异质外延薄膜/衬底复合体系：评估外延层与衬底整体结构的热扩散特性，更贴近器件实际状态。
高温应用样品：专为在极端高温（如>500℃）环境下工作的器件所准备的碳化硅单晶材料。
闪光法（激光闪射法）：当前测量热扩散系数的标准方法，通过激光脉冲加热样品正面并监测背面温升过程来计算。
瞬态平面热源法
(Hot Disk法)
: 使用平面传感器同时作为热源和温度传感器，可同步测得热扩散系数和导热系数。
3ω法: 适用于薄膜或各向异性材料，通过测量沉积在样品上的金属线电阻的三次谐波电压来反推热性能。
<强>差示扫描量热法（DSC）: 用于精确测量碳化硅单晶在特定温度范围内的比热容。
<强>热机械分析法（TMA）: 通过监测样品在程序控温下的尺寸变化，来测定其线性热膨胀系数。
<强>红外热成像法: 定性或半定量地观察样品表面在受热或冷却过程中的温度场分布，评估热扩散均匀性。
<强>拉曼光谱测温法: 利用拉曼峰位对温度的敏感性，实现微区、非接触式的温度测量，间接评估热特性。
<强>时域热反射法（TDTR）: 一种超快激光泵浦-探测技术，特别适用于极薄薄膜或界面处的热传输测量。
<强>稳态热流法（防护热板法）: 传统方法，通过建立一维稳态热流来直接测量块体材料的导热系数，精度高但耗时较长。
<强>激光闪射导热仪（LFA）: 闪光法核心设备，具备高能激光器、红外检测器及高温炉，可实现宽温区测试。
<强>Hot Disk热常数分析仪: 基于瞬态平面热源法的集成设备，操作相对简便，适用于块体、片状样品。
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