平均蚀刻速率：测量在特定时间内材料被移除的平均深度，是评估蚀刻工艺效率的核心指标。
局部蚀刻速率：分析样品表面不同区域（如中心与边缘）的蚀刻速率差异，评估工艺均匀性。
蚀刻深度剖面：获取蚀刻结构（如沟槽、孔洞）内部的三维深度分布信息。
表面粗糙度变化：对比蚀刻前后表面的粗糙度参数（如Ra, Rq），评估蚀刻过程对表面形貌的影响。
侧壁角度与轮廓：精确测量蚀刻后结构的侧壁倾斜角度和轮廓形状，判断各向异性程度。
关键尺寸（CD）损失：测量掩模开口下方因横向蚀刻导致的特征尺寸减小量。
选择比：通过测量不同材料（如光刻胶与衬底）的蚀刻深度，计算它们之间的蚀刻速率比值。
蚀刻均匀性：统计整个晶圆或样品区域内蚀刻速率的分布，通常以标准差或百分比表示。
残留物与缺陷检测：识别蚀刻后表面是否存在未完全清除的残留物或由蚀刻引入的微观缺陷。
台阶高度重复性：对同一工艺条件下多个样品或同一晶圆上多个相同结构进行测量，评估工艺的稳定性。
半导体晶圆：适用于硅、锗、化合物半导体（如GaAs, GaN）等衬底上的薄膜蚀刻工艺评估。
介质材料薄膜：精确测量二氧化硅、氮化硅、低k介质等绝缘层的蚀刻速率与均匀性。
金属薄膜：用于铝、铜、钨、钛、金等导电薄膜在干法或湿法蚀刻中的速率测试。
光刻胶与有机材料：评估光刻胶在显影或去胶过程中的溶解与去除速率。
微机电系统结构：对MEMS器件制造中深硅蚀刻、牺牲层释放等工艺进行深度和形貌表征。
光学薄膜与涂层：测量增透膜、反射膜等多层光学薄膜在精密加工中的去除速率。
平板显示面板：适用于玻璃或柔性衬底上ITO、金属走线等材料的蚀刻过程监控。
磁性记录材料：用于硬盘盘片等磁性薄膜堆叠的精密蚀刻工艺开发。
光伏材料：评估太阳能电池中硅、透明导电氧化物等材料的织构化或图案化蚀刻效果。
科研用新型材料：适用于各类新型二维材料、聚合物、复合材料等在特定化学或物理作用下的腐蚀速率研究。
台阶高度法：在样品表面制作掩模，蚀刻后测量掩模边缘处形成的台阶高度，计算平均蚀刻速率。
多点扫描平均法：在样品表面选取多个代表性测量点，分别计算蚀刻速率后求取平均值，提高数据可靠性。
三维形貌比对法：分别获取蚀刻前后样品同一区域的三维形貌图，通过软件相减直接得到蚀刻深度分布图。
连续动态监测法：对同一样品进行分步蚀刻和多次中间测量，绘制蚀刻深度随时间变化的曲线，分析动力学过程。
Trench深度剖面法：针对沟槽结构，沿沟槽中心线提取深度剖面曲线，分析底部平坦度与深度均匀性。
选择比计算法：在同一蚀刻条件下，分别精确测量两种不同材料的台阶高度，通过公式计算其选择比。
均匀性映射法：在晶圆上按预定矩阵进行多点测量，生成蚀刻速率或深度的二维分布云图，直观显示均匀性。
侧壁角度提取法：利用光学轮廓仪的横截面分析功能，从三维数据中提取侧壁轮廓线并计算其倾斜角度。
粗糙度分析关联法：将蚀刻速率数据与对应区域的表面粗糙度变化进行关联分析，研究工艺参数对表面质量的影响。
掩模损耗监测法：同时测量掩模材料本身的厚度损耗，为计算真实的选择比和评估掩模耐久性提供数据。
白光干涉光学轮廓仪: 核心设备，利用白光干涉原理，以非接触方式高精度重建样品表面的三维形貌。
高精度电动XY样品台: 用于承载样品并实现大范围、可编程的自动定位扫描，确保测量点的准确性与重复性。
沟通检测需求：为精准把握客户需求，我们会仔细审核申请内容，与客户深入交流，精准识别样品类型、明确测试要求，全面收集相关信息，确保无遗漏。
签订协议：根据沟通确定的检测需求及商定的服务细节，为客户定制包含委托书及保密协议的个性化协议。后续检测严格依协议执行。
样品前处理：收到样品后，开展样品预处理、制样及标准溶液制备等前处理工作。凭借先进仪器设备和专业技术人员，科学严谨对待每个细节，保证前处理规范准确。
试验测试：此为检测核心环节。运用规范实验测试方法精确检测每个样品，实验设计与操作均遵循科学标准，保障测试结果准确且可重复。
出具报告：测试结束立即生成详尽检测报告，经严格审核确保结果可靠准确，审核通过后交付客户。
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