方块电阻：衡量薄膜在二维平面上导电能力的核心参数，是计算电阻率的基础。
薄膜厚度：精确测量有源层或导电层的物理厚度，是计算体积电阻率的必要变量。
体电阻率：表征材料本身固有的导电特性，与材料的尺寸无关，反映材料本质。
面电阻均匀性：评估薄膜在基板不同位置上方块电阻的一致性，反映工艺稳定性。
接触电阻：测量金属电极与半导体薄膜之间的接触特性，评估欧姆接触质量。
沟道电阻：在特定栅极电压下，测量TFT源漏之间导电沟道的电阻值。
温度系数：检测电阻率随温度变化的规律，用于分析材料的导电机理和热稳定性。
载流子浓度：间接通过电阻率与霍尔效应等数据推算得出，反映材料的掺杂水平。
迁移率关联分析：结合场效应迁移率测试，分析电阻率对器件开关性能的影响。
应力测试后电阻变化：监测在光照、偏压、温度等应力条件下电阻率的漂移情况。
非晶硅薄膜：传统TFT-LCD中广泛使用的有源层材料，其电阻率较高。
低温多晶硅薄膜：用于高性能显示驱动，电阻率低于非晶硅，均匀性是检测重点。
金属氧化物半导体薄膜：如IGZO，具有适中的电阻率和优异的均匀性。
有机半导体薄膜：用于柔性电子，其电阻率对成膜工艺和环境极为敏感。
石墨烯/二维材料薄膜：新兴材料，具有独特的电学特性，电阻率极低。
透明导电氧化物薄膜：如ITO，常用作电极，要求低电阻率和高透光性。
源/漏金属电极层：通常为铝、钼、铜等金属或其合金，要求极低的电阻率。
掺杂层薄膜：通过离子注入或扩散形成的区域，其电阻率随掺杂浓度变化。
柔性衬底上的功能薄膜：在PI、PET等衬底上制备的薄膜，需考虑应力影响。
图案化后的微区薄膜：光刻定义后的微小有源区或导线，需要微区探测技术。
四探针法：最经典的方块电阻测量方法，通过四根等间距探针消除接触电阻影响。
范德堡法：适用于任意形状的对称样品，通过多点测量取平均提高精度。
传输线模型法：专门用于精确提取金属-半导体界面的接触电阻率。
霍尔效应测试法
霍尔效应测试法：在磁场中测量，可同时获得载流子浓度、迁移率和电阻率。
扩展电阻探针法：使用两个紧密间距的探针，适用于微区和高阻材料的测量。
涡流法：非接触式测量，利用电磁感应原理，适合快速在线监测。
微波阻抗显微术
微波阻抗显微术
四探针测试仪
四探针测试仪
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