静态介电常数：在恒定或极低频电场下测得的材料极化能力，反映材料储存静电能的本领。
动态介电常数：在交变电场下测得的复数介电常数的实部，表征材料在特定频率下的极化响应。
介电损耗因子：复数介电常数的虚部，衡量材料在交变电场中因极化弛豫等过程而转化为热能的能量损耗。
损耗角正切：介电损耗因子与动态介电常数的比值，是评价材料绝缘性能和能量损耗效率的关键参数。
频率-介电谱：测量介电常数和损耗随频率变化的完整谱图，用于分析材料的极化机理和弛豫过程。
温度-介电谱：在温度扫描模式下测量介电参数，研究相变、分子运动活化能等热致变化行为。
各向异性介电常数：对于液晶态苯并菲衍生物，分别测量平行于和垂直于分子长轴方向的介电分量。
直流电导率：评估材料在直流电场下的漏电行为，高电导率会干扰低频介电测量的准确性。
极化弛豫时间分布：通过分析介电谱的展宽，获取材料内部多种极化单元弛豫时间的分布信息。
介电击穿强度：测量材料所能承受的最大电场强度，是评估其作为绝缘材料实用性的重要指标。
盘状液晶苯并菲：具有柱状相、向列相等液晶相的苯并菲核心衍生物，关注其有序态下的各向异性介电性能。
烷基链取代衍生物：研究不同长度、支化度的烷基链对分子堆积、极性和最终介电常数的影响。
极性官能团修饰衍生物：引入硝基、氰基、氟原子等强极性基团，旨在系统调控材料的偶极矩和极化率。
有机半导体薄膜：通过旋涂、蒸镀等方式制备的薄膜样品，测量其用于有机场效应晶体管等器件的介电层性能。
本体聚合物掺杂体系：将苯并菲衍生物作为功能填料分散于聚合物基体中，研究复合材料的介电行为。
溶液状态样品：在特定溶剂中测量，用于研究分子本身的偶极矩或作为薄膜测量前的质量控制。
不同相态样品：涵盖晶体相、液晶相、各向同性液相乃至玻璃态，全面表征相变对介电性能的突变影响。
取向排列样品：对液晶态样品施加电场或进行表面摩擦取向，测量其沿不同方向的定向介电常数。
光电响应型衍生物：测量光照前后或光照下这类衍生物的介电常数变化，探索其在光电器件中的应用潜力。
纳米结构组装体：基于苯并菲衍生物形成的纳米线、纳米管等超结构，研究维度与尺寸对介电极化的影响。
平行板电容法：最经典的方法，将样品置于两平行电极间构成电容器，通过测量电容值计算介电常数。
阻抗分析法：使用阻抗分析仪在宽频范围内测量样品的复阻抗，进而精确解析出复介电常数。
网络分析仪法：主要用于射频至微波频段，通过测量散射参数（S参数）来反演材料的复介电常数。
谐振腔微扰法：将小样品插入微波谐振腔中，根据谐振频率和品质因数的变化计算材料的介电参数。
时域反射计法：通过分析电磁脉冲在样品中的传播与反射时延，快速测定材料的宽带介电特性。
热刺激放电电流法：通过测量程序升温过程中样品释放的退极化电流，研究陷阱能级和偶极子弛豫。
静电力显微镜法：一种扫描探针技术，能在纳米尺度上对薄膜样品进行局部介电常数的成像与测量。
干涉测量法：利用光学干涉原理，通过测量电磁波通过样品后的相位变化来推算介电常数，适用于太赫兹频段。
共面波导传输线法：将样品制备在共面波导结构上，通过测量传输特性得到薄膜材料的高频介电性能。
差分电容比较法: 使用精密电容桥或LCR表，通过比较有/无样品时的电容差值来高精度测定低损耗材料的介电常数。
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