体积电阻率：测量材料单位体积对电流的阻碍能力，是评估其绝缘或导电性能的基础参数。
表面电阻率：评估材料表面抵抗漏电流的能力，对于防静电、电磁屏蔽应用至关重要。
电导率：电阻率的倒数，直接表征材料的导电能力，数值越高导电性越好。
电流-电压特性曲线：通过测量在不同电压下的电流响应，分析材料的欧姆特性或非线性行为。
介电常数：反映材料在电场中存储电能的能力，影响其在电容器等电子元件中的应用。
介电损耗角正切：衡量材料在交变电场中能量损耗的大小，对高频应用尤为重要。
击穿电压强度：测定材料在强电场下发生绝缘失效（击穿）时的临界电压，评估其耐压极限。
载流子迁移率：表征材料内部载流子（电子或空穴）在电场作用下移动快慢的物理量。
塞贝克系数：测量材料的热电性能，即由温差产生电势（热电效应）的能力。
电磁干扰屏蔽效能：定量评估材料对电磁波辐射的衰减能力，用于电磁屏蔽材料评价。
本征导电高分子：如聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩等具有共轭结构的高分子。
复合型导电高分子：由绝缘高分子基体与碳黑、碳纳米管、石墨烯、金属粉末等导电填料复合而成。
离子导电高分子：如聚合物电解质，其导电机制依赖于离子在聚合物网络中的迁移。
导电高分子薄膜与涂层：通过旋涂、喷涂、印刷等方式制备的薄层导电功能材料。
导电弹性体与凝胶：兼具导电性和柔韧性的高分子材料，常用于柔性电子和传感器。
导电纤维与织物：通过共混纺丝或后处理赋予纤维导电性，用于智能纺织品。
导电粘合剂与油墨：用于电子封装、印刷电路等领域的粘接或印刷功能材料。
半导体性高分子：用于有机发光二极管、有机场效应晶体管等光电器件的高分子材料。
抗静电高分子材料：表面电阻率在10^6~10^12 Ω/sq范围内的材料，用于防止静电积累。
电磁屏蔽高分子复合材料：专门设计用于吸收或反射电磁波的高分子基复合材料。
四探针法：最常用的方法，通过四根等间距探针接触样品表面，消除接触电阻影响，精确测量薄膜或块状材料的电阻率。
二探针法/两端子法：适用于高电阻样品的初步测量，但结果包含引线和接触电阻，精度相对较低。
范德堡法：适用于形状规则但各向异性的薄片样品，通过测量不同方向的电阻计算电阻率。
静电计/高阻计法：利用静电计或高阻计配合专用电极夹具，测量极高电阻（可达10^18 Ω）和绝缘材料的电阻率。
阻抗分析法：对样品施加小幅交流信号，测量其复数阻抗随频率的变化，可分离材料的体电阻、界面电阻等。
时域反射法：通过分析脉冲信号在传输线中遇到样品阻抗不连续时的反射波形来快速测定电导率。
涡流法：一种非接触式测量方法，利用探头线圈产生的高频磁场在导电样品中感应涡流来反推电导率。
微波法/太赫兹时域光谱法：利用微波或太赫兹波与材料的相互作用，无损测量其介电性能和电导率。
霍尔效应测试法：用于测定半导体性或导电高分子的载流子类型、浓度和迁移率。
同轴法兰法/波导法：将样品加工成特定形状置于同轴传输线或波导中，用于测量高频下的电磁参数和屏蔽效能。
四探针测试仪: 配备精密探针台和恒流源、纳伏表，用于精确测量薄膜或晶片的方块电阻和电阻率。
高阻计/绝缘电阻测试仪: 可输出高稳定直流测试电压并测量微弱电流，用于评估高绝缘材料的体积和表面电阻。
数字源表/源测量单元: 集电压源、电流源和测量功能于一体，用于自动绘制材料的电流-电压特性曲线。
阻抗分析仪/电感电容电阻测试仪: 能在宽频率范围内精确测量材料的阻抗、介电常数和损耗因子。
静电衰减测试仪: 通过施加高压使样品带电，然后监测其表面电压衰减至一半所需的时间，评价抗静电性能。
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