晶圆键合强度检测

  发布时间:2025-05-24 10:16:57

检测项目

剪切强度测试、拉伸强度测试、剥离强度测试、热循环测试、热冲击测试、恒温恒湿老化测试、界面形貌分析、元素成分分析、表面粗糙度测量、残余应力分布测定、键合层厚度测量、孔隙率检测、界面扩散层分析、结晶取向匹配度评估、表面能计算、接触角测量、红外透射成像分析、超声波扫描成像、X射线衍射分析、拉曼光谱分析、纳米压痕测试、四点弯曲测试、断裂韧性评估、蠕变性能测试、疲劳寿命预测、介电常数测量、漏电流监测、热导率测定、热膨胀系数匹配度验证

检测范围

硅-硅直接键合晶圆、玻璃-硅阳极键合组件、铜-铜热压键合结构、氧化硅介质层键合片、氮化硅钝化层键合组件、锗基异质集成晶圆堆叠体、碳化硅功率器件键合模块、砷化镓射频器件键合单元、三维TSV互连封装结构、MEMS压力传感器键合组件、红外焦平面探测器键合阵列、微流控芯片键合通道结构、LED外延层转移基板堆叠体、柔性显示面板临时键合载片系统、扇出型封装重构晶圆键合体

检测方法

剪切强度测试:采用万能材料试验机施加平行于键合面的剪切力直至失效,记录最大载荷值并计算单位面积强度。

X射线光电子能谱(XPS):通过特征X射线激发表面元素的光电子发射谱线,定量分析键合界面化学态变化。

扫描声学显微镜(SAM):利用高频超声波探测界面缺陷与分层区域,生成三维声学成像图进行缺陷定位。

纳米压痕法:使用纳米压头在微米尺度测量键合层弹性模量与硬度分布曲线。

热机械分析(TMA):监测温度循环过程中键合结构的尺寸变化率与热膨胀失配量。

聚焦离子束(FIB)切片:制备纳米级横截面样品用于透射电镜观察界面原子级结合状态。

激光散斑干涉法:通过激光干涉条纹变化非接触式测量键合应力分布梯度。

四点探针法:测量键合界面电阻率变化以评估金属扩散均匀性。

检测标准

ASTMF1043-2017半导体晶圆键合剪切强度标准测试方法

SEMIG66-1109晶圆直接键合界面质量评估指南

JESD22-A104F温度循环加速寿命试验标准

ISO14577-1金属材料硬度和材料参数的仪器化压痕试验

MIL-STD-883K微电子器件试验方法标准第2036章

IEC60749-25半导体器件机械和气候试验方法-温度循环

GB/T4937-2012半导体器件机械和气候试验方法

ASTME292-09材料断裂韧性标准试验方法

SEMIMF397-0312硅片表面金属污染测试规程

JISH0605-1996硅片表面粗糙度测定方法

检测仪器

万能材料试验机:配备高精度载荷传感器与位移编码器,实现0.1N分辨率力学性能测试。

场发射扫描电镜(FE-SEM):具备5nm分辨率二次电子探测器与能谱仪联用系统。

激光共聚焦显微镜:支持0.01μm纵向分辨率的非接触式三维形貌重构。

动态热机械分析仪(DMA):可在-150℃~600℃范围内测量粘弹性参数变化。

X射线衍射仪(XRD):配置薄膜附件实现晶格应变与织构系数定量分析。

红外热像仪:通过12801024像素阵列实时监测温度场分布。

原子力显微镜(AFM):采用轻敲模式进行纳米级表面粗糙度与模量映射。

超声波扫描显微镜:配备100MHz高频探头实现亚微米级缺陷识别。

检测服务流程

沟通检测需求:为精准把握客户需求,我们会仔细审核申请内容,与客户深入交流,精准识别样品类型、明确测试要求,全面收集相关信息,确保无遗漏。

签订协议:根据沟通确定的检测需求及商定的服务细节,为客户定制包含委托书及保密协议的个性化协议。后续检测严格依协议执行。

样品前处理:收到样品后,开展样品预处理、制样及标准溶液制备等前处理工作。凭借先进仪器设备和专业技术人员,科学严谨对待每个细节,保证前处理规范准确。

试验测试:此为检测核心环节。运用规范实验测试方法精确检测每个样品,实验设计与操作均遵循科学标准,保障测试结果准确且可重复。

出具报告:测试结束立即生成详尽检测报告,经严格审核确保结果可靠准确,审核通过后交付客户。

我们秉持严谨踏实的态度,提供高品质、专业化检测服务。服务全程可追溯,严格遵守保密协议,保障客户满意度与信任度。

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