噪声等效功率（NEP）：表征探测器可检测的最小太赫兹辐射功率，通过对比标准噪声源与探测器输出信号实现。具体检测参数：频率范围0.1-10THz，功率分辨率≤1fW/√Hz，测量不确定度＜5%。
噪声系数（NF）：反映探测器内部噪声与输入噪声的比值，采用Y因子法结合噪声源进行测量。具体检测参数：频率范围0.3-3THz，噪声温度测量精度±0.5K，动态范围≥80dB。
本底噪声：探测器无输入信号时的固有噪声水平，通过屏蔽暗室环境下的零输入测量获取。具体检测参数：带宽1Hz-1GHz，均方根电压噪声密度≤1nV/√Hz（@100MHz），稳定性±2%/h。
1/f噪声（闪烁噪声）：低频段与频率成反比的噪声成分，通过谱分析仪采集噪声功率谱密度并拟合1/f特性。具体检测参数：频率范围0.01-100kHz，噪声谱密度斜率测量精度±0.1dB/decade，最小可测1/f噪声拐点频率≤1Hz。
热噪声（约翰逊噪声）：由导体电阻热运动引起的噪声，通过测量电阻噪声电压并计算对应噪声功率。具体检测参数：电阻范围1Ω-100kΩ，温度范围77K-300K，噪声电压密度测量精度±1.5%。
散粒噪声：光子或载流子统计涨落引起的噪声，利用光电转换器件结合跨阻放大器测量输出电流噪声。具体检测参数：光功率范围1pW-1mW，电流噪声密度测量精度±2%，带宽10Hz-100MHz。
频率响应噪声：探测器对不同频率太赫兹信号的响应波动，通过扫频激励与噪声同步检测实现。具体检测参数：频率范围0.1-5THz，频率响应起伏测量精度±0.3dB，扫描步进≤100MHz。
相位噪声：高频信号相位随机起伏导致的噪声，采用相位检波器与低噪声放大器提取相位波动分量。具体检测参数：载波频率100GHz-1THz，相位噪声谱密度测量精度±3dBc/Hz（@1kHz偏移），积分相位噪声≤0.5°（@10Hz-100kHz）。
脉冲响应噪声：探测器对短脉冲太赫兹信号的响应畸变，通过脉冲发生器与高速采样系统记录输出波形。具体检测参数：脉冲宽度1ps-1ns，上升沿时间测量精度≤50fs，过冲/下冲幅度≤1%。
交叉调制噪声：多频率输入信号相互作用产生的互调噪声，利用双音信号激励并分析输出频谱中的杂散分量。具体检测参数：双音频率间隔10MHz-1GHz，三阶互调截点（IP3）测量精度±1dB，杂散抑制比≥60dBc。
半导体太赫兹探测器：基于GaAs、InSb等半导体材料的光电导或光伏型探测器，适用于0.1-3THz频段的辐射检测。
超导太赫兹探测器：采用NbTiN、NbSi等超导材料的约瑟夫森结或热电偶型探测器，具备极低噪声特性，工作于1-10THz频段。
光子计数太赫兹探测器：基于盖革模式的雪崩光电二极管（APD），可单光子级计数，适用于弱信号检测场景。
焦平面阵列（FPA）太赫兹探测器：集成数千个探测单元的二维阵列，用于太赫兹成像系统，像素尺寸≤50μm。
太赫兹混频器：将高频太赫兹信号转换为低频中频信号的器件，主要应用于太赫兹光谱仪与通信接收机。
肖特基二极管太赫兹探测器：利用肖特基势垒的整流效应实现太赫兹到直流的转换，工作频段0.1-5THz。
热释电太赫兹探测器：基于铁电材料的热释电效应，通过测量温度变化引起的极化强度变化检测太赫兹辐射。
光电导太赫兹探测器：施加偏置电场的光电导材料在太赫兹辐射下电导率变化，产生光电流信号。
微测辐射热计：通过吸收太赫兹辐射引起温度变化，利用热敏电阻将温度变化转换为电信号的探测器，主要用于成像系统。
太赫兹波束分离器：将入射太赫兹光束按比例分配至参考臂与检测臂的器件，影响系统信噪比与测量精度。
ISO 15609-1:2019 辐射测量学——红外与太赫兹辐射计量学——第1部分：总则与基本概念，规定太赫兹辐射计量的一般原则和术语。
ASTM E490-11 太阳电磁辐射标准光谱分布，用于校准太赫兹探测器在太阳光谱范围内的响应特性。
GB/T 36931-2018 太赫兹成像系统性能测试方法，明确太赫兹成像系统中探测器的噪声、分辨率等关键指标的测试方法。
IEC 60869-1:2014 微波与毫米波测量设备——第1部分：一般要求与测试方法，涵盖高频电子设备包括太赫兹探测器的噪声测量要求。
IEEE 1128-1994 高分辨率太赫兹光谱仪的性能规范，规定光谱仪中探测器的噪声、线性度等性能参数的测试标准。
GB/T 13837-2012 声音和电视广播接收机及有关设备无线电骚扰特性限值和测量方法，适用于太赫兹探测器电磁兼容性的骚扰特性测试。
ASTM F3056-14 太赫兹波段材料电磁特性测试方法，涉及太赫兹探测器对不同材料响应的噪声特性评估。
ISO 17025:2017 检测和校准实验室能力的通用要求，规定实验室开展太赫兹探测器噪声检测的技术能力与管理要求。
IEC 62153-4-7:2017 射频与微波设备的金属屏蔽效能测量，用于评估太赫兹探测器屏蔽结构对环境噪声的抑制效果。
GB/T 21418-2008 微光像增强器测试方法，虽针对微光领域，但部分噪声测量方法可参考应用于太赫兹探测器的低噪声检测。
太赫兹噪声分析仪：集成噪声源、频谱分析仪与信号处理模块的综合测试设备，可直接测量探测器的噪声等效功率（NEP）与噪声系数（NF）。在本检测中用于噪声功率谱密度采集、Y因子法噪声系数计算及本底噪声测量。
高频频谱分析仪：频率覆盖0.1-50THz的超宽带频谱分析设备，具备高分辨率（≤1Hz）与低噪声底噪（≤-170dBm/Hz）。用于太赫兹探测器输出的噪声频谱分布测量及杂散信号分析。
锁相放大器：支持1Hz-100MHz低频锁相检测，输入噪声密度≤1nV/√Hz，具备相位敏感检测功能。用于提取太赫兹探测器在低频段的1/f噪声与热噪声分量，抑制环境高频干扰。
低温噪声源：工作温度77K（液氮制冷）的黑体噪声源，噪声温度范围100K-300K，发射率≥0.99。用于校准太赫兹探测器的噪声系数测量系统，提供标准噪声参考。
相关器：双通道数字相关测量设备，时间分辨率≤1ps，相干带宽≥1THz。用于分析太赫兹探测器输出信号的相位噪声与脉冲响应噪声，实现纳秒级时间抖动的精确测量。
矢量网络分析仪：频率范围10MHz-50THz的高精度矢量网络分析仪，动态范围≥120dB，支持S参数测量。用于太赫兹探测器频率响应噪声的扫频测试，获取幅频与相频特性。
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