介电性能检测体系包含六个核心指标：
相对介电常数（εr）：表征材料储存电能的能力
介质损耗角正切值（tanδ）：反映电能转化为热能的损耗效率
体积电阻率（ρv）：衡量材料抵抗体积导电的能力
表面电阻率（ρs）：评估材料表面绝缘特性
击穿场强（Eb）：测定介质失去绝缘性的临界电场强度
频率特性分析：研究介电参数随频率变化的响应规律
本检测体系适用于以下对象：
| 材料类别 | 典型应用场景 |
|---|---|
| 聚合物绝缘材料 | 电缆绝缘层、电容器介质膜 |
| 陶瓷介质材料 | 微波器件基板、高压绝缘子 |
| 纳米复合材料 | 高频电路封装材料 |
| 液体绝缘介质 | 变压器油、电容器浸渍液 |
| 半导体封装材料 | 芯片封装环氧树脂 |
| 功能涂层材料 | 电磁屏蔽涂层、防静电涂层 |
采用三明治结构电极系统：将试样置于两个平行圆形电极之间形成标准电容器结构。通过精密LCR表测量不同频率下的等效电容与损耗因子。
利用微波谐振腔的频移特性：将试样置于TE01δ模谐振腔内，通过矢量网络分析仪测量谐振频率偏移量及品质因数变化。
基于四端对测量原理：采用自动平衡电桥技术实现10mHz-120MHz宽频段测量，通过Cole-Cole图解析复阻抗特性。
阶梯升压法：以500V/s速率施加交流电压直至试样击穿，记录击穿瞬间电压峰值并计算场强值。
环形保护电极配置：主电极直径50mm±0.1mm，保护环间隙2mm±0.02mm，消除表面泄漏电流对体积电阻测量的干扰。
| 设备类型 | 技术参数 | 适用标准 |
|---|---|---|
| 宽频介电谱仪 | 温度控制：-150℃~300℃±0.1℃ | ASTM D2149 |
| 高压耐压测试系统 | 升压速率：10-5000V/s可调 | GB/T 1695 |
| 微欧级电阻测试仪 | 测量范围：10-4-1016 分辨率：0.01%读数+0.005%量程 | IEC 62631-3-1 |
