硅片电阻率检测

硅片电阻率检测什么单位可以做?检测项目及标准有哪些?费用是多少?中析检测研究所实验室可依据GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片等相关标准制定试验方案。对硅片检测的电阻率等项目进行检测分析。并出具严谨公正的硅片电阻率检测报告。

检测项目

表面薄膜厚度、密度测定、翘曲度测试、表面粗糙度、电阻率、电阻、径向电阻率变化等等。

适用范围

单晶硅片、多晶硅片、半导体材料用硅片等。

相关检测标准

GB/T 40279-2021 硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法

GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片

GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

GB/T 32280-2015 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法

GB/T 30869-2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法

GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T 15615-1995 硅片抗弯强度测试方法

GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层 电阻测定 非接触涡流法

GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法

检测报告注意事项

1、报告无“研究测试专用章”或公章无效，报告无防伪二维码无效;

2、复制报告未重新加盖“研究测试专用章”或公章无效;

3、报告无主检、审核、批准人签字无效;

4、报告涂改无效;

5、对检测报告若有异议，应于收到报告之日起十五日内提出，逾期不予受理;