铁损（总损耗）：指单位质量或单位体积的铁磁材料在交变磁化过程中所消耗的总能量，是评估导磁性能的核心指标。
磁滞损耗：由于材料磁畴壁摩擦和不可逆磁化过程导致的能量损耗，与磁滞回线的面积成正比。
涡流损耗：交变磁场在铁磁材料内部感生涡电流，由材料电阻引起的焦耳热损耗。
剩余损耗：除磁滞损耗和经典涡流损耗外的其他损耗总和，通常与磁后效、畴壁共振等因素相关。
比总损耗（P1.5/50等）：在特定频率（如50Hz）和特定磁通密度峰值（如1.5T）条件下测得的单位质量铁损值，是硅钢片的标称参数。
磁导率（复数磁导率）：表征材料导磁能力的参数，复数形式可分离出与损耗相关的虚部磁导率。
磁滞回线特性：包括饱和磁感应强度、剩磁、矫顽力等，直接关联磁滞损耗的大小。
电阻率（电导率）：影响涡流损耗的关键材料本征属性，电阻率越高，涡流损耗通常越低。
损耗角正切（tan δμ）：复数磁导率虚部与实部之比，直接衡量材料的磁损耗因子。
损耗分离与建模：将总损耗分解为磁滞、涡流和剩余损耗分量，并建立与频率、磁密关系的数学模型。
硅钢片（电工钢）：电力变压器、电机铁芯的核心材料，是导磁性能损耗评估最主要的应用对象。
非晶及纳米晶合金：具有极低铁损的高性能软磁材料，用于高频变压器、电感器等。
铁氧体软磁材料：高频下使用的陶瓷磁性材料，需评估其在高频条件下的损耗特性。
坡莫合金等高磁导率合金：用于精密互感器、磁屏蔽等对低损耗有特殊要求的场合。
软磁复合材料：由磁性粉末与绝缘介质复合而成，需评估其直流和交流损耗。
磁粉芯：由绝缘包覆的磁性粉末压制而成，评估其分布式气隙带来的特殊损耗特性。
永磁材料：在动态工作条件下（如永磁电机），评估其涡流损耗。
磁性薄膜与薄带：用于高频微型磁器件，需评估其微尺度下的损耗机制。
磁芯组件（变压器、电感器）：对成品或半成品磁芯组件进行整体损耗评估。
工作在不同温度下的磁性材料：评估温度变化对材料导磁性能及损耗的影响。
爱泼斯坦方圈法：国际标准方法，用于测量硅钢片在工频至中频范围的比总损耗和磁性能。
单片测量法（SST）：使用双轭或单轭磁导计，直接测量单片或叠片样品的磁特性，减少爱泼斯坦方圈的搭接误差。
环形样件（Toroidal Core）测量法：将材料制成环形样件，利用励磁线圈和检测线圈直接测量，磁路闭合无气隙，结果准确。
瓦特计法：经典的电功率测量法，通过测量励磁电路的输入有功功率来推算磁芯损耗。
数字采样计算法：同步高速采样磁通密度（B）和磁场强度（H）的瞬时波形，通过数值积分计算损耗。
阻抗分析法：通过测量带线圈磁芯的复数阻抗，推算出材料的复数磁导率和损耗角正切。
量热法：直接测量磁芯在磁化过程中产生的热量（温升）来标定损耗，是一种绝对测量法。
高频谐振法（Q表法）：利用LC谐振电路品质因数Q的变化，测量高频软磁材料（如铁氧体）的损耗。
八线圈法：一种改进的测量方法，能更有效地补偿测试回路中的相位误差和互感影响。
损耗分离法：通过在不同频率下测量总损耗，利用数学模型分离出磁滞、涡流和剩余损耗分量。
爱泼斯坦方圈装置：由四个缠绕线圈的磁轭和专用电源、测量仪表组成的标准硅钢片测试系统。
单片磁测仪（SST）：集成磁导计、励磁电源、B-H传感器和数字分析仪的自动化测量设备。
B-H分析仪：核心仪器，能够直接测量并绘制材料的动态磁滞回线，并计算各项损耗参数。
功率分析仪/高精度瓦特表：用于精确测量励磁回路中的有功功率，适用于大功率或大电流测试。
数字存储示波器：配合电流探头和电压探头，实现B和H信号的同步高速采样。
阻抗分析仪/LCR表：测量磁性元件（带绕组）的复数阻抗、电感和品质因数，用于推算材料高频特性。
可编程交流电源：提供频率、幅值、波形可调的正弦或非正弦励磁电源。
磁通计与积分器：用于测量感应电压的积分，从而得到磁通量或磁感应强度B。
标准环形样件绕线机：用于在环形磁芯上均匀、紧密地绕制励磁线圈和检测线圈。
高低温环境试验箱：为磁性材料提供可控的温度测试环境，以评估温度对损耗的影响。
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