界面态密度（Dit）：指单位面积、单位能量范围内半导体与绝缘体界面处存在的电子态数量，是核心检测参数。
界面态能级分布：测定界面态在半导体禁带宽度内的能量位置分布情况。
界面态俘获截面：评估界面态对载流子（电子或空穴）的俘获能力大小。
平带电压偏移：通过电容-电压曲线平带电压的移动量推算界面态电荷。
阈值电压稳定性：评估界面态对场效应晶体管阈值电压漂移的影响。
载流子迁移率退化：分析界面电荷散射导致的沟道载流子迁移率下降。
界面复合速度：表征界面态作为复合中心对少数载流子的复合速率。
固定电荷密度：区分并测定界面处不可充电的固定正电荷或负电荷密度。
边界陷阱密度：特指位于界面附近绝缘体层内、可与半导体交换载流子的陷阱态密度。
频率色散特性：分析电容-电压或电导-电压曲线随测试频率变化的特征，反映界面态响应。
硅/二氧化硅（Si/SiO2）界面：经典MOS结构，是微电子技术的基石，界面态研究最为深入。
高k介质/金属栅界面：现代先进CMOS工艺中的关键界面，如HfO2/Si，界面态影响阈值电压和可靠性。
III-V族化合物半导体/介质界面：如GaAs、InGaAs与Al2O3、HfO2的界面，界面态密度通常较高。
宽禁带半导体/介质界面：包括SiC/SiO2、GaN/AlGaN、Ga2O3/介质等，对功率器件性能至关重要。
有机半导体/绝缘体界面：在有机场效应晶体管中，界面态影响电荷注入与传输。
二维材料/衬底界面：如石墨烯、二硫化钼与SiO2/Si或其他介质的界面。
金属/半导体肖特基接触界面：界面态影响肖特基势垒高度和理想因子。
异质结界面：两种不同半导体材料之间的界面，如Ge/Si，界面态影响能带排列和载流子输运。
钝化层/半导体界面：在太阳能电池和光电器件中，表面钝化层的界面态决定表面复合速率。
新兴存储器界面：如阻变存储器、铁电存储器中电极/功能层界面，界面态影响阻变机制和耐久性。
高频电容-电压法：通过测量高频下MOS结构的C-V曲线，结合理想曲线对比提取界面态信息。
准静态电容-电压法：测量极低频或直流扫描下的C-V曲线，能直接反映界面态对低频信号的响应。
电导法：通过测量MOS结构在不同频率下的并联电导，是提取界面态密度和俘获截面的经典方法。
深能级瞬态谱：通过分析电容瞬态响应，能高灵敏度地测定界面态的能级、密度和俘获截面。
电荷泵技术：向栅极施加脉冲信号，测量衬底电流，是表征MOSFET沟道界面态非常有效的方法。
光致电容/电流法：利用不同波长光照激发界面态中的载流子，通过电容或电流变化分析界面态。
表面光电压法：通过测量光照引起的表面电势变化，非接触式地表征界面态和表面电势。
开尔文探针力显微镜：一种扫描探针技术，能在纳米尺度上测量表面电势，间接反映界面电荷分布。
X射线光电子能谱：通过分析界面元素的化学态和能带偏移，间接推断界面态来源和特性。
电子顺磁共振：用于检测界面处由悬挂键等缺陷产生的顺磁中心，直接关联界面态物理起源。
半导体参数分析仪：集成电压源、电流表和电容表，用于执行C-V、I-V等电学测量。
精密LCR表：高精度测量器件电容、电导、阻抗随频率和偏压变化的仪器。
准静态C-V测试系统：包含超低速电压扫描源和精密电流计，用于准静态电容测量。
深能级瞬态谱仪：专用干液氮变温系统、脉冲发生器和瞬态电容采集系统。
电荷泵测试系统：通常由脉冲信号发生器、半导体参数分析仪和探针台组成。
低温探针台：提供变温测试环境，可将样品冷却至液氮或液氦温度，用于激活能研究。
光谱型椭圆偏振仪：用于精确测量薄膜厚度和光学常数，是制备测试样品和数据分析的辅助设备。
原子力显微镜/KPFM附件：实现表面形貌和表面电势同步测量的纳米尺度表征工具。
X射线光电子能谱仪：用于分析界面元素成分、化学态及能带结构的表面分析仪器。
电子顺磁共振波谱仪：用于检测材料中未成对电子，直接研究界面缺陷态的磁共振仪器。
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