总杂质浓度测定：评估硒化镉单晶中所有电活性杂质的总和，是衡量材料纯度的基础指标。
浅施主杂质浓度分析：专门测定如III族元素（铝、镓、铟）等浅施主杂质的含量，直接影响材料的n型导电特性。
浅受主杂质浓度分析：专门测定如I族元素（锂、钠）等浅受主杂质的含量，影响材料的p型导电特性。
深能级杂质浓度测定：分析在禁带深处引入能级的杂质（如过渡金属铁、钴、镍）浓度，这些是主要的载流子复合中心。
补偿度计算：通过施主与受主杂质浓度的比值，计算材料的补偿度，是评估晶体质量的关键参数。
载流子浓度测量：通过电学方法直接测量室温及变温条件下的自由电子或空穴浓度。
电阻率/电导率分析：测量晶体的电阻率或电导率，间接反映杂质浓度和补偿情况。
霍尔系数测量：通过霍尔效应测量载流子浓度、迁移率和导电类型，是电学表征的核心项目。
光学吸收边分析：通过吸收光谱分析带边特征，杂质会影响吸收边的形状和位置。
光致发光光谱分析：通过低温光致发光光谱识别特定杂质相关的束缚激子发光峰，进行定性与半定量分析。
III族元素（Al, Ga, In）：作为典型的替位式施主杂质，是实现n型掺杂的关键元素，需精确控制其浓度。
I族元素（Li, Na, Cu）：常见的受主杂质，尤其是铜，是影响电阻率和载流子寿命的重要深能级杂质。
VII族元素（Cl, Br, I）：常占据硒位形成施主，用于制备低阻n型CdSe材料，其浓度控制至关重要。
过渡金属元素（Fe, Co, Ni, Mn）：这些元素在CdSe禁带中引入深能级，作为有效的复合中心，严重降低载流子寿命。
IV族元素（Si, Ge, Sn）：两性杂质，既可充当施主也可充当受主，其行为与晶格占位密切相关，分析复杂。
VI族同族元素（S, Te）：作为硒的替代元素，虽非严格意义上的“杂质”，但其含量变化会改变合金组分和带隙，需监控。
重金属杂质（Pb, Hg）：在原料或生长过程中可能引入的有害杂质，需要检测并控制其痕量水平。
碱土金属元素（Mg, Ca）：可能以杂质形式存在，对其浓度进行分析有助于追溯污染源。
氧和碳杂质：非金属杂质，可能以间隙或化合物形式存在，影响晶格完整性和电学性能。
本征点缺陷浓度评估：如镉空位、硒空位等，虽非外来杂质，但其浓度对电学性能影响巨大，是分析的重要范畴。
二次离子质谱法：具有极高灵敏度（ppb-ppm级）的深度剖析技术，可检测几乎全部元素杂质及其纵向分布。
辉光放电质谱法：适用于体材料高灵敏度全元素分析，能同时测定主量、微量及痕量杂质，定量准确度高。
低温傅里叶变换红外光谱法：通过分析杂质引起的局域振动模吸收峰，识别特定杂质种类并进行浓度估算。
变温霍尔效应测试：在宽温度范围内测量霍尔系数和电阻率，通过拟合获得施主、受主浓度及能级信息。
深能级瞬态谱法：专门用于检测深能级杂质（缺陷）的种类、浓度、能级位置和俘获截面的高灵敏度方法。
光致发光光谱法：非破坏性方法，通过分析杂质相关的特征发光峰，对特定杂质进行定性和半定量分析。
电感耦合等离子体质谱法：需将样品溶解，对溶液进行超高灵敏度多元素同时分析，主要用于体材料杂质筛查。
放射性活化分析：绝对测量方法，通过中子活化使杂质元素产生放射性同位素再进行测量，精度极高但周期长。
原子吸收光谱法：适用于测定特定金属元素的含量，操作相对简便，但通常需破坏样品且一次分析一种元素。
X射线光电子能谱法：表面敏感技术，可分析表面及近表面区域的元素组成、化学态及相对浓度。
二次离子质谱仪：利用高能离子束溅射样品并分析溅射出的二次离子，实现痕量元素深度剖析的核心设备。
辉光放电质谱仪：通过射频辉光放电将样品原子化并离子化，随后用质谱分析，用于高纯材料整体杂质分析。
傅里叶变换红外光谱仪：配备低温恒温器，用于测量样品在红外波段的吸收光谱，特别用于LVM分析。
霍尔效应测试系统：包含电磁铁、低温杜瓦、精密电流源和电压表的综合系统，用于测量载流子浓度、迁移率和电阻率。
深能级瞬态谱仪：基于电容瞬态测量原理，包含快速电容计、温度控制器和脉冲发生器的专用系统。
光致发光光谱仪：通常由激光光源、低温样品室、单色仪和探测器（如CCD或光电倍增管）组成。
电感耦合等离子体质谱仪：将样品溶液雾化后在高温等离子体中电离，通过质谱检测器进行多元素分析。
核反应堆及γ能谱仪：用于中子活化分析，核反应堆提供中子源，高纯锗γ能谱仪用于测量活化后的特征γ射线。
原子吸收光谱仪：利用待测元素基态原子对特征辐射的吸收进行定量分析，包括光源、原子化器、分光系统和检测器。
X射线光电子能谱仪：利用X射线激发样品表面光电子，通过分析其动能得到元素组成和化学态信息。
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