直流电阻：测量硫化镉纳米线在恒定电压下的稳态电阻值，反映其基本的导电能力。
交流阻抗谱：在宽频率范围内测量阻抗随频率的变化，用于分析材料内部的多种弛豫过程。
电容特性：检测纳米线-电极界面或纳米线本身在交变电场下的电荷存储能力。
介电常数：通过阻抗数据计算材料的介电常数，评估其极化特性。
损耗角正切：衡量材料在交变电场中能量损耗程度的参数，反映其介电损耗特性。
阻抗相位角：测量电压与电流之间的相位差，用于区分电阻性和电容性成分。
奈奎斯特图：通过复数阻抗平面图分析，解析材料的体相电阻、界面电阻和电容等等效电路元件。
波特图：绘制阻抗模值和相位角随频率变化的曲线，直观展示频率响应特性。
电导率：结合几何尺寸测量，由电阻值计算得出，是评价纳米线本征导电性能的关键指标。
迁移率：通过阻抗及场效应测试推算载流子迁移率，评估纳米线的电荷传输效率。
单根纳米线本征特性：针对孤立单根硫化镉纳米线进行测量，获取其不受邻近效应影响的真实阻抗参数。
纳米线阵列宏观特性：测量由多根纳米线组成的薄膜或阵列的整体阻抗，反映集体平均行为。
不同直径纳米线：系统研究纳米线直径变化对其阻抗、量子限域效应及表面态的影响。
不同长度纳米线：考察长度对电阻、接触电阻占比以及一维传输特性的影响规律。
表面修饰后阻抗变化：检测经有机分子、金属纳米颗粒等修饰后，纳米线表面态和电输运性质的改变。
异质结界面阻抗：针对硫化镉与其他材料构成的异质结，重点表征界面处的电荷转移电阻和电容。
温度依赖特性：在变温环境下测量，研究阻抗随温度的变化，分析热激活能、相变或缺陷态。
光照下光电阻抗：在光照条件下检测阻抗变化，研究光生载流子对电导和界面电荷重组的影响。
气体环境响应：在不同气氛中测量阻抗，评估纳米线作为气体传感器的敏感特性与响应机制。
溶液电化学阻抗：在电解液环境中测量，用于研究纳米线电极的电化学过程及双电层结构。
两探针直流法：使用两个探针直接测量纳米线两端电压与电流，方法简单但包含接触电阻。
四探针直流法：采用两对探针分别施加电流和测量电压，有效排除接触电阻，获得更准确的本体电阻。
频响分析仪法：使用专用的频响分析仪施加小幅正弦交流激励，精确测量宽频范围内的复数阻抗。
锁相放大器法：结合信号发生器和锁相放大器，实现高灵敏度、低噪声的交流阻抗测量。
原子力显微镜电学模式：利用导电AFM探针作为移动电极，在微观尺度下定位测量纳米线的局部阻抗。
微纳探针台测试：在显微镜下使用精密微探针与纳米线形成点接触，配合半导体参数分析仪进行测量。
光致阻抗显微术：结合激光照射和阻抗测量，空间分辨地研究光激发对纳米线局部电学特性的影响。
等效电路拟合分析法：将测量的阻抗谱数据用预设的等效电路模型进行拟合，量化各物理过程的参数。
时域阻抗谱法：通过施加阶跃或脉冲电压激励，测量时域响应后再变换得到频域阻抗信息。
场效应晶体管构型法：将纳米线制备成FET器件，通过栅压调控测量输出与转移特性，间接分析阻抗相关参数。
半导体参数分析仪：高精度、多功能的电学测试仪器，可进行直流I-V、C-V及低频阻抗测量。
阻抗分析仪：专用于宽频率范围（如从Hz到GHz）内精确测量复数阻抗和介电参数的仪器。
电化学工作站：集成恒电位仪、频响分析仪等功能，特别适用于溶液环境下的阻抗谱测量。
锁相放大器：用于提取微弱交流信号幅度和相位，是构建高灵敏度阻抗测试系统的核心部件。
微纳探针台系统：包含精密机械探针、显微镜和防震平台，用于在微观尺度下实现电极与纳米线的可靠接触。
原子力显微镜：配备导电探针和相应电子模块，可在纳米空间分辨率下进行形貌与电学性质同步表征。
深低温恒温器：提供从液氦温度到室温的可控变温环境，用于研究阻抗的温度依赖性。
真空/气氛可控腔室：提供高真空或特定气体环境，以排除空气和水氧的影响，或进行气氛响应测试。
光照射系统：集成可调波长和强度的光源，用于研究光照对硫化镉纳米线阻抗特性的调制作用。
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