总厚度变化：测量晶圆表面最高点与最低点之间的垂直距离，是评价晶圆整体厚度均匀性的核心指标。
局部平整度：评估晶圆表面特定小区域（如指定边长正方形区域）内表面的起伏程度，对光刻工艺至关重要。
全局平整度：衡量整个晶圆表面相对于一个理想参考平面的偏差，通常使用SFQR或GBIR等参数表征。
弯曲度：指晶圆无夹持状态下，其中性面偏离其中心平面的量，反映晶圆的整体变形形态。
翘曲度：指晶圆在无夹持状态下，其中心点相对于参考平面的位移，表征晶圆的整体弓形变形。
纳米形貌：检测晶圆表面极小尺度（纳米级）的高度变化，影响高端器件制造中的薄膜沉积均匀性。
表面粗糙度：测量晶圆表面微观峰谷的算术平均偏差，影响后续外延层质量和器件界面特性。
边缘排除区域平整度：专门评估晶圆边缘几毫米宽度环形区域的平整度，该区域通常不用于制造但影响工艺。
应力分布：通过平整度数据间接分析晶圆内部的应力分布情况，与晶体生长和加工工艺密切相关。
参考平面拟合偏差：评估实际测量表面与通过算法拟合出的最佳参考平面之间的符合程度。
全片扫描：对整片碳化硅晶圆表面进行100%覆盖的测量，获取全面的三维形貌数据。
指定区域扫描：针对晶圆上的特定功能区域或疑似缺陷区域进行高分辨率局部测量。
边缘到边缘：测量范围从晶圆的一个物理边缘到另一个物理边缘，包含全部可用区域。
固定质量区域：通常指扣除边缘排除区后，用于芯片制造的核心优质区域，是平整度检测的重点。
多片抽样统计范围：在批量生产中，对多片晶圆进行抽样检测，以统计评估整个批次的平整度水平。
径向分布分析：沿晶圆半径方向分析平整度参数的变化趋势，用于评估工艺的对称性与均匀性。
角度分布分析：沿晶圆周向角度分析平整度的分布情况，用于识别与晶体取向相关的各向异性。
跨批次历史数据对比：将当前检测结果与历史批次的数据进行对比，监控工艺的长期稳定性。
不同衬底类型对比：对比检测N型、半绝缘型等不同导电类型的碳化硅衬底晶圆的平整度特性。
工艺前后对比：对比同一片晶圆在特定工艺（如研磨、抛光、退火）处理前后的平整度变化。
激光干涉法：利用激光干涉原理，通过分析干涉条纹来高精度重建表面三维形貌，精度可达纳米级。
电容传感法：通过测量探头与晶圆表面之间微小电容的变化来推算距离，适用于快速在线测量。
白光干涉法：使用宽光谱白光光源，通过扫描获取不同波长的干涉信息，适合测量有台阶或粗糙的表面。
相位偏移干涉法：在激光干涉中引入已知的相位偏移，通过多幅干涉图计算相位，提高测量精度和速度。
原子力显微镜法：使用极细的探针扫描表面，通过探针与原子间作用力获得超高分辨率的表面形貌，但速度慢。
光学轮廓术：综合运用光学聚焦、共焦或干涉技术，非接触式快速获取表面轮廓信息。
机械探针轮廓仪法：使用金刚石探针直接接触表面并划过，记录高度变化，可能对超光滑表面造成划伤。
衍射波前分析法：通过分析从晶圆表面反射或透射的相干光波前畸变来评估表面平整度。
莫尔条纹法：利用基准光栅与晶圆表面形貌产生的莫尔条纹来放大并测量表面的微小起伏。
数字全息术：记录并重建来自被测表面的全息图，从而获得其三维形貌信息，是一种快速光学方法。
激光平面干涉仪：基于菲索或迈克耳逊干涉原理的高精度仪器，是测量全局平整度的主流设备。
自动晶圆几何参数测量系统：集成多传感技术的全自动测量平台，可快速测量TTV、弯曲、翘曲等多种参数。
白光干涉三维表面轮廓仪：用于微观和纳米级形貌测量，能提供高分辨率的3D表面图像和粗糙度数据。
原子力显微镜：提供原子级分辨率的表面形貌测量，用于研发阶段最精细的表面结构分析。
电容式测微仪：用于高速、非接触的厚度或距离测量，常集成在在线监测系统中。
光学轮廓仪：采用共焦、干涉或焦点变化原理，快速进行非接触式轮廓和粗糙度测量。
自动缺陷检测与复查系统
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