位错密度：评估晶体内部线缺陷的浓度，是衡量单晶结构完整性的核心指标之一。
晶粒尺寸与取向：检测单晶中是否存在多晶或亚晶界，以及晶粒的排列方向一致性。
孪晶缺陷：识别晶体中原子面按特定对称关系排列形成的缺陷区域。
点缺陷浓度：测量如空位、间隙原子、替位原子等点状缺陷的类型与密度。
表面平整度与粗糙度：量化晶体表面的宏观起伏和微观粗糙程度，影响后续器件工艺。
电阻率均匀性：在晶片不同位置测量电阻率，评估电学性能的宏观均匀性。
光致发光光谱特性：通过发光效率、峰位和半高宽来间接反映晶体内部缺陷和杂质情况。
腐蚀坑形貌与分布：利用化学腐蚀显示晶体缺陷露头，通过其形貌和密度评估缺陷水平。
红外透过率：测量特定红外波段的透过率，评估晶体中杂质吸收和散射损耗。
X射线双晶摇摆曲线半高宽：通过X射线衍射峰的宽度定量表征晶体的结晶质量和应变状态。
整体晶锭：对生长的整根碲化镉单晶锭进行宏观缺陷普查和基本性能评估。
切割晶片：对从晶锭上切割下来的晶片进行表面、亚表面损伤及整体完整性检测。
特定晶面：针对(111)、(110)或(100)等特定结晶学平面的结构特性进行专门分析。
边缘区域：检测晶片边缘因切割、研磨引起的应力集中和缺陷密集区。
中心区域：评估晶体生长最核心区域的结构完美性和成分均匀性。
亚表面层：探测表面以下数微米至数十微米深度范围内的损伤层和缺陷分布。
微米尺度区域：利用显微技术对晶粒边界、位错线等微米级特征进行定位分析。
纳米尺度结构：分析原子排列、点缺陷团簇等需要高分辨率技术观测的纳米级信息。
器件有源区：针对计划制备器件的核心区域进行局部高精度完整性测试。
掺杂浓度分布区：评估掺杂元素引入后，在晶体特定区域内引起的结构变化和均匀性。
X射线衍射法：利用X射线在晶体中的衍射效应，分析晶体结构、取向、应变和缺陷。
化学腐蚀法：使用特定腐蚀液选择性腐蚀缺陷露头，通过光学显微镜观察腐蚀坑来评估缺陷密度和类型。
光致发光光谱法：通过激光激发材料产生荧光，分析其光谱特征来非接触式地表征杂质和缺陷能级。
红外显微术：利用红外光穿透半导体材料的特性，结合显微镜观察内部夹杂物、沉淀和缺陷。
扫描电子显微镜：利用高能电子束扫描样品表面，获得高分辨率的表面形貌和成分信息。
透射电子显微镜：将电子束穿透极薄样品，直接观察晶体内部的位错、层错等微观缺陷的原子像。
原子力显微镜：通过探针与表面原子间作用力，在纳米尺度上表征表面三维形貌和粗糙度。
四探针电阻率测试法：使用四根等间距探针接触样品表面，测量材料的电阻率及其均匀性。
阴极荧光光谱法：在SEM中利用电子束激发样品产生荧光，实现微区光致发光分析，关联形貌与发光特性。
拉曼光谱法：通过测量非弹性散射光的光谱，分析材料的晶格振动模式，从而判断结晶质量、应力及相纯度。
高分辨率X射线衍射仪：用于进行双晶摇摆曲线、倒易空间映射等精密测试，定量分析晶体完美性。
金相显微镜/光学显微镜：用于观察腐蚀后样品的腐蚀坑形貌、分布密度以及宏观缺陷。
光致发光光谱仪：配备低温恒温器和激光光源，用于测量材料在不同温度下的发光光谱特性。
傅里叶变换红外光谱仪：用于测量碲化镉单晶在宽红外波段的透过率、吸收系数等光学性质。
扫描电子显微镜：配备能谱仪，用于高倍率下的表面形貌观察和微区成分分析。
透射电子显微镜：用于对样品进行超高分辨率的内部结构成像和晶体学分析。
原子力显微镜/扫描探针显微镜：用于纳米级精度的表面三维形貌、电势及力学性能测量。
四探针测试仪：配备自动平台，用于快速扫描测量晶片各位置的电阻率分布图。
阴极荧光光谱系统：作为SEM的附件，实现微米/纳米尺度下的发光特性与形貌的关联分析。
拉曼光谱仪：配备显微共焦系统，用于微区无损检测材料的晶体结构、应力及成分信息。
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