X射线能谱分析（EDS）：基于特征X射线能量识别元素，检测范围B-U，能量分辨率≤133eV，定量精度±1%（主元素）。
俄歇电子能谱分析（AES）：利用俄歇电子能量分析表面元素，检测深度0.5-2nm，空间分辨率≤5nm，灵敏度≥0.1at%。
二次离子质谱分析（SIMS）：通过二次离子质荷比测定痕量元素，检测限低至ppb级，深度分辨率≤0.1nm，成像分辨率≤50nm。
X射线光电子能谱分析（XPS）：测量光电子结合能确定元素化学态，检测范围Li-U，能量分辨率≤0.8eV，灵敏度≥0.1at%。
微区X射线荧光分析（μ-XRF）：非破坏性微区元素分布成像，空间分辨率≤20μm，检测限≥10ppm（轻元素）。
能量色散X射线光谱仪（ED-XRF）：快速筛查材料主量元素，分析时间≤5min，元素范围Na-U，误差≤2%（含量>1%）。
波长色散X射线光谱仪（WD-XRF）：高精度元素定量分析，分辨率≤5eV，检测限≤1ppm（部分元素），适用于复杂基质。
同步辐射X射线荧光分析（SR-μXRF）：高亮度光源实现亚微米级元素成像，空间分辨率≤0.1μm，检测限≤0.1ppb（痕量元素）。
电子探针显微分析（EPMA）：结合扫描电镜的高精度微区分析，元素范围B-U，定量误差≤1%（主元素），空间分辨率≤1μm。
聚焦离子束-能谱联用分析（FIB-EDS）：纳米级区域成分剖析，离子束加工精度≤10nm，能谱成像分辨率≤5nm。
金属材料：钢铁、铝合金、钛合金等，用于成分偏析、杂质元素检测及热处理效果评估。
高分子复合材料：碳纤维增强树脂、玻璃纤维复合材料等，分析添加剂分布及界面元素迁移。
半导体器件：芯片、集成电路、光伏电池等，检测掺杂元素分布及界面污染。
新能源材料：锂电池正极/负极材料、燃料电池催化剂等，分析活性物质成分及均匀性。
生物医学材料：钛合金植入体、羟基磷灰石涂层等，检测表面元素组成及生物相容性相关成分。
地质样品：岩石、矿物、陨石等，测定主量/微量元素分布及成因分析。
文物保护材料：古陶瓷釉料、金属文物锈蚀层等，分析成分演变及保护材料有效性。
环境监测样品：土壤、沉积物、大气颗粒物等，检测重金属及有害元素分布。
电子器件封装：焊料、键合线、封装树脂等，分析界面金属间化合物及杂质含量。
航空航天材料：高温合金、复合材料、涂层等，检测高温服役后成分变化及损伤机制。
ASTM E1123-19：扫描电子显微镜能谱仪的分析方法，规定EDS操作条件及数据校正方法。
ISO 17075-2019：俄歇电子能谱分析的表面化学分析，明确AES采样深度及定量校正程序。
GB/T 17359-2018：微束分析 电子探针显微分析方法通则，规定EPMA的测试条件及结果表示。
ASTM E1078-14：二次离子质谱分析的定性定量方法，适用于SIMS的痕量元素检测。
ISO 15470-2004：X射线光电子能谱分析的表面化学分析，规定XPS的能量校准及荷电校正方法。
GB/T 32573-2016：无机化工产品中微量重金属元素的测定 电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS），辅助能谱分析的重金属检测。
ASTM E2971-15：同步辐射X射线荧光分析的应用指南，适用于SR-μXRF的高灵敏度元素成像。
ISO 21073-2018：聚焦离子束显微镜的分析方法，规定FIB-EDS的纳米区域分析流程。
GB/T 25189-2010：微束分析 电子探针显微分析 波谱法及能谱法的定量分析，规范EPMA的定量方法。
ASTM D3623-14：塑料中残留单体和添加剂的测定 顶空固相微萃取-气相色谱-质谱法（HS-SPME-GC-MS），辅助能谱分析的有机物成分检测。
场发射扫描电子显微镜-能谱仪（FE-SEM-EDS）：采用场发射电子源，分辨率≤1nm，配备硅漂移探测器（SDD），实现微区形貌观察与元素成分同步分析，支持元素面分布成像及定量计算。
俄歇电子能谱仪（AES）：配置氩离子溅射系统，可进行表面至亚表层深度剖析，能量分辨率≤0.5%，空间分辨率≤5nm，适用于材料表面元素组成及化学态的高灵敏度检测。
飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）：搭载脉冲液态金属离子源，质量分辨率≥10000，二次离子检测限低至10-9单层，支持纳米级深度分辨率的表面成分分析及成像。
X射线光电子能谱仪（XPS）：采用单色化铝靶X射线源，能量分辨率≤0.8eV，配备氩离子溅射系统，可实现表面0.5-10nm深度的元素化学态分析及定量测定。
聚焦离子束-能谱联用系统（FIB-EDS）：集成镓离子束与场发射SEM，离子束加工精度≤10nm，能谱仪探测效率高，支持纳米级区域的成分剖析及截面分析。
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