芯片键合强度测试：评估芯片与基板间键合点的机械强度，测试范围1-100g，精度±5%。
封装密封性检测：检测元器件封装的气密性，泄漏率测量范围1×10⁻⁶~1×10⁻¹²Pa·m³/s，检测介质为氦气。
热阻特性分析：测量元器件工作时的热传导效率，热阻范围0.1~100℃/W，温度分辨率0.1℃。
电迁移失效分析：研究金属互连层中离子迁移导致的失效，电流密度范围1×10⁴~1×10⁶A/cm²，温度控制范围25~300℃。
介质击穿电压测试：测定绝缘介质的击穿强度，电压范围10V~10kV，升压速率10V/s~100V/s。
焊点疲劳寿命评估：模拟温度循环下焊点的疲劳失效，循环次数10~1000次，温度范围-40℃~125℃，温度变化速率5℃/min。
静电放电（ESD）耐受性测试：检测元器件对静电放电的抵抗能力，放电电压范围0~15kV，支持接触放电和空气放电，放电次数1~10次/点。
离子迁移测试：评估潮湿环境下绝缘材料中离子迁移情况，测试时间100~1000小时，湿度85%RH，温度85℃，实时监测漏电流。
封装材料吸水率测定：测量封装材料在湿度环境中的吸水性能，吸水率范围0.01%~5%，测试温度85℃，精度±0.001%。
引线框架腐蚀速率分析：检测引线框架在腐蚀环境中的腐蚀速度，腐蚀速率范围0.1~10μm/年，腐蚀介质为5%NaCl溶液，温度35℃。
栅氧化层击穿测试：评估MOS器件栅氧化层的绝缘性能，击穿电压范围1~100V，电流分辨率1pA。
漏电流特性测试：测量元器件在反向偏置下的漏电流，测试范围1pA~1mA，电压范围0~100V。
集成电路（IC）：包括CPU、MCU、存储器、逻辑芯片等，覆盖设计、生产及应用环节的失效分析，涉及开路、短路、参数漂移等模式。
分立器件：二极管、三极管、MOSFET、IGBT等分立半导体器件，针对正向压降异常、反向漏电流增大、开关特性退化等失效检测。
无源元器件：电阻、电容、电感、变压器、滤波器等，涉及开路、短路、容量衰减、电感值漂移、Q值下降等失效模式。
光电器件：LED、光电二极管、激光二极管、光耦合器等，关注光输出效率下降、光谱特性偏移、反向漏电流增大等失效原因。
传感器：压力传感器、温度传感器、湿度传感器、加速度传感器等，针对灵敏度下降、零点漂移、线性度偏差等失效分析。
电源模块：DC/DC转换器、LDOregulators、开关电源等，涉及输出电压波动、效率降低、纹波增大、过热保护失效等失效检测。
连接器：板对板连接器、线对板连接器、射频连接器等，关注接触电阻增大、插拔力异常、绝缘电阻下降、信号衰减等失效模式。
继电器：电磁继电器、固态继电器、光继电器等，针对触点烧蚀、线圈断线、触点粘连、动作时间延迟等失效分析。
电池组件：锂电池、镍氢电池、燃料电池等，涉及容量衰减、内阻增大、漏液、过充过放失效、循环寿命缩短等失效检测。
电子浆料：银浆、铝浆、铜浆、导电胶等，针对导电性下降、附着力减弱、烧结后裂纹等失效原因。
显示器件：OLED、LCD、触摸屏等，关注像素点失效、显示亮度不均、响应时间延长等失效模式。
MEMS器件：微机械陀螺仪、微加速度计、微镜等，涉及结构损伤、谐振频率漂移、灵敏度下降等失效分析。
GB/T1410-2006固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验方法。
ASTMF1269-20半导体器件芯片键合强度测试方法。
ISO16232-2018道路车辆电子元器件环境可靠性试验。
GB/T2423.10-2019环境试验第2部分：试验方法试验Fc：振动（正弦）。
IEC61340-5-1-2016静电学第5-1部分：电子元器件静电放电敏感性分级。
GB/T5095.2-2019电子设备用机电元件基本试验规程及测量方法第2部分：一般检查、电连续性和接触电阻测试。
ASTMB117-21盐雾试验标准方法。
ISO10360-7-2011几何产品技术规范（GPS）坐标测量机（CMM）的验收检测和复检检测第7部分：扫描测量模式的性能评定。
GB/T31485-2015锂离子电池性能测试方法。
IEC60068-2-6-2007环境试验第2部分：试验方法试验Fh：振动（宽带随机）。
GB/T29307-2012半导体器件机械和气候试验方法第10部分：芯片键合强度。
ASTME139-20热膨胀系数测试方法（推杆法）。
微拉力试验机：用于芯片键合强度测试，最大拉力100g，精度±1g，支持单点和多点测试，记录力-位移曲线。
氦质谱检漏仪：检测封装密封性，泄漏率范围1×10⁻⁶~1×10⁻¹²Pa·m³/s，最小可检泄漏率1×10⁻¹²Pa·m³/s，响应时间≤1s。
热阻测试仪：测量元器件热阻特性，热阻范围0.1~100℃/W，温度分辨率0.1℃，支持稳态和瞬态测试，兼容TO、SOP、QFP等封装类型。
电迁移测试仪：模拟电迁移失效，电流密度范围1×10⁴~1×10⁶A/cm²，温度控制范围25~300℃，实时监测互连层电阻变化。
介质击穿测试仪：测定绝缘介质击穿电压，电压范围10V~10kV，升压速率可调10~100V/s，支持自动放电保护，兼容液体和固体介质测试。
温度循环试验箱：用于焊点疲劳寿命评估，温度范围-40~125℃，循环次数10~1000次，温度变化速率5℃/min，均匀度±2℃。
ESD模拟器：进行静电放电耐受性测试，放电电压0~15kV，支持接触放电（0~8kV）和空气放电（0~15kV），放电次数可设置1~10次/点。
离子迁移测试系统：评估潮湿环境下离子迁移，测试时间100~1000小时，湿度控制85%RH（±2%），温度85℃（±1℃），实时监测漏电流（分辨率1pA）。
水分分析仪：测量封装材料吸水率，吸水率范围0.01%~5%，测试温度85℃（±1℃），精度±0.001%，支持重量法和KarlFischer滴定法。
腐蚀试验箱：检测引线框架腐蚀速率，腐蚀介质5%NaCl溶液（±0.1%），温度35℃（±1℃），腐蚀时间100~1000小时，支持喷淋和浸泡模式。
栅氧化层击穿测试仪：评估MOS器件栅氧化层绝缘性能，击穿电压范围1~100V，电流分辨率1pA，支持恒定电压和恒定电流模式，兼容晶圆级和封装级测试。
漏电流测试仪：测量元器件反向漏电流，测试范围1pA~1mA，电压范围0~100V，精度±0.5%，支持自动扫描和数据存储。
沟通检测需求：为精准把握客户需求，我们会仔细审核申请内容，与客户深入交流，精准识别样品类型、明确测试要求，全面收集相关信息，确保无遗漏。
签订协议：根据沟通确定的检测需求及商定的服务细节，为客户定制包含委托书及保密协议的个性化协议。后续检测严格依协议执行。
样品前处理：收到样品后，开展样品预处理、制样及标准溶液制备等前处理工作。凭借先进仪器设备和专业技术人员，科学严谨对待每个细节，保证前处理规范准确。
试验测试：此为检测核心环节。运用规范实验测试方法精确检测每个样品，实验设计与操作均遵循科学标准，保障测试结果准确且可重复。
出具报告：测试结束立即生成详尽检测报告，经严格审核确保结果可靠准确，审核通过后交付客户。
我们秉持严谨踏实的态度，提供高品质、专业化检测服务。服务全程可追溯，严格遵守保密协议，保障客户满意度与信任度。
