EL检测主要针对晶体硅光伏组件的六大类缺陷：1.电池片隐裂（包括纵向裂纹、横向裂纹及网状裂纹）；2.主栅/细栅断裂（含焊接不良导致的虚焊断点）；3.黑芯/黑斑（晶体生长缺陷或杂质聚集区域）；4.PID效应导致的边缘发黑；5.电池片碎片（机械应力损伤）；6.电池片分选色差（掺杂不均匀表征）。其中隐裂纹宽检测精度需达到5μm级别，断栅缺陷识别率要求不低于98%。
本检测适用于：1.单晶硅/多晶硅标准组件（60/72片电池规格）；2.双玻组件及半片组件；3.薄膜光伏组件（需调整激发电压参数）；4.BIPV建筑一体化组件；5.车载/航天用柔性组件。适用功率范围覆盖5W微型组件至600W大尺寸组件，最大可测组件尺寸达2400mm×1300mm。特殊环境适用性包括：-40℃低温组件需配置恒温测试舱；双面组件需实施正反面两次成像。
标准检测流程包含五个阶段：1.暗室环境搭建（环境照度≤1Lux）；2.恒流源接入（电流密度80-100mA/cm²）；3.红外成像采集（波长900-1200nm）；4.图像增强处理（对比度提升50%-70%）；5.缺陷智能分类（基于CNN卷积神经网络）。关键参数控制要求：组件表面温度需稳定在25±2℃，曝光时间控制在30-60秒区间，图像分辨率不低于5MP。异常工况处理规范明确：当出现大面积不发光的"死区"时立即终止测试并记录短路电流值。
标准EL检测系统包含四大核心模块：1.高灵敏度制冷型CCD相机（量子效率＞65%@1100nm）；2.可编程直流电源（输出精度±0.1%，纹波系数＜1%）；3.多维运动平台（定位精度±0.05mm）；4.AI分析工作站（配备ResNet50算法框架）。辅助设备包括：红外滤光片组（截止波长850nm）、恒温载物台（控温精度±0.5℃）、光强校准仪（量程0-2000W/m²）。仪器年校准指标要求：暗场噪声值＜10e-/pixel/s，非线性度误差＜0.3%，空间分辨率验证采用USAF1951标准靶。
沟通检测需求：为精准把握客户需求，我们会仔细审核申请内容，与客户深入交流，精准识别样品类型、明确测试要求，全面收集相关信息，确保无遗漏。
签订协议：根据沟通确定的检测需求及商定的服务细节，为客户定制包含委托书及保密协议的个性化协议。后续检测严格依协议执行。
样品前处理：收到样品后，开展样品预处理、制样及标准溶液制备等前处理工作。凭借先进仪器设备和专业技术人员，科学严谨对待每个细节，保证前处理规范准确。
试验测试：此为检测核心环节。运用规范实验测试方法精确检测每个样品，实验设计与操作均遵循科学标准，保障测试结果准确且可重复。
出具报告：测试结束立即生成详尽检测报告，经严格审核确保结果可靠准确，审核通过后交付客户。
我们秉持严谨踏实的态度，提供高品质、专业化检测服务。服务全程可追溯，严格遵守保密协议，保障客户满意度与信任度。
