碳化硅单晶片的完整质量评价体系包含四大类核心指标：晶体结构参数需验证晶型纯度（4H/6H）、位错密度（EPD＜1000 cm⁻²）及微管缺陷分布；电学性能指标涵盖载流子浓度（1×10¹⁶~1×10¹⁹ cm⁻³）、迁移率（＞300 cm²/V·s）及电阻率均匀性（偏差＜5%）；表面质量要求达到原子级平整度（Ra＜0.2 nm），无划痕、凹坑等机械损伤；几何参数包括厚度公差（±5 μm）、弯曲度（＜20 μm）及边缘崩边控制（＜50 μm）。
本检测体系适用于直径100-200mm的4H/6H-SiC单晶片全流程质量控制：①原材料阶段验证多型结构纯度与杂质含量；②切割加工后评估表面损伤层深度与亚表面裂纹；③抛光工序监控表面粗糙度与纳米形貌；④外延前基片需满足载流子浓度梯度＜3%/cm²；⑤终端产品验证热导率（＞490 W/m·K）与击穿场强（＞3 MV/cm）。特殊应用场景扩展至高温（＞600℃）环境下的载流子稳定性测试及高能粒子辐照耐受性评估。
晶体结构分析采用高分辨X射线衍射（HRXRD）测定摇摆曲线半高宽（FWHM＜30 arcsec），结合拉曼光谱识别多型混合比例；电学参数测量通过非接触式涡流法实现载流子浓度快速筛查（精度±5%），霍尔效应测试系统（Van der Pauw法）精确测定迁移率与电阻率各向异性；表面形貌采用原子力显微镜（AFM）进行5×5 μm²区域三维重构（Z分辨率0.1 nm），白光干涉仪实现全片翘曲度测量；缺陷检测综合运用熔融KOH腐蚀法（850℃/5min）显影位错缺陷，同步辐射形貌术定位微米级微管分布。
专业实验室配置Bruker D8 Discover型高分辨X射线衍射仪（Cu Kα1辐射源），搭配EBSD系统实现晶向偏差分析；Keysight B1500A半导体参数分析仪配合Cascade Summit 12000探针台完成电学特性精准测量；Bruker Dimension Icon原子力显微镜配置ScanAsyst模式实现无损表面扫描；Thermo Fisher SCIOS 2双束电镜用于亚表面缺陷三维重构；Malvern Panalytical Epsilon 4 XRF光谱仪实现重金属杂质ppm级检测；配套Class 100洁净环境保障样品无污染测试
沟通检测需求：为精准把握客户需求，我们会仔细审核申请内容，与客户深入交流，精准识别样品类型、明确测试要求，全面收集相关信息，确保无遗漏。
签订协议：根据沟通确定的检测需求及商定的服务细节，为客户定制包含委托书及保密协议的个性化协议。后续检测严格依协议执行。
样品前处理：收到样品后，开展样品预处理、制样及标准溶液制备等前处理工作。凭借先进仪器设备和专业技术人员，科学严谨对待每个细节，保证前处理规范准确。
试验测试：此为检测核心环节。运用规范实验测试方法精确检测每个样品，实验设计与操作均遵循科学标准，保障测试结果准确且可重复。
出具报告：测试结束立即生成详尽检测报告，经严格审核确保结果可靠准确，审核通过后交付客户。
我们秉持严谨踏实的态度，提供高品质、专业化检测服务。服务全程可追溯，严格遵守保密协议，保障客户满意度与信任度。
