载流子浓度测试什么单位可以做?检测项目及标准有哪些?费用是多少?中析检测研究所实验室可依据GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法等相关标准制定试验方案。对霍尔迁移率测定、载流子浓度测定等项目进行检测分析。并出具严谨公正的对载流子浓度测试报告。
霍尔效应法：在半导体样品中通入电流，并施加垂直于电流方向的磁场，由于洛伦兹力作用，载流子会发生偏转，在样品两侧产生电势差，即霍尔电压。通过测量霍尔电压、电流、磁场等参数，可计算出载流子浓度。
电容 - 电压法：对于金属 - 半导体接触或 PN 结等结构，在其两端施加交变电压，测量电容随电压的变化关系。根据 C-V 曲线的特征，可以得到半导体中的载流子浓度分布以及杂质浓度分布等信息。
四探针法：将四根等间距的探针垂直压在半导体样品表面，通过测量通过外侧两根探针的电流和内侧两根探针之间的电压，利用特定的公式计算出样品的电阻率，再结合材料的迁移率等参数，间接得到载流子浓度。
扩展电阻法：将一个尖锐的金属探针与半导体样品表面形成微小的接触，通过测量接触电阻随探针压力或深度的变化，利用理论模型和校准曲线，计算出半导体的电阻率和载流子浓度。
光致发光法：用适当波长的光照射半导体样品，使半导体中的电子从价带跃迁到导带，形成非平衡载流子。这些非平衡载流子在复合过程中会发出光辐射，通过测量光致发光光谱的强度、峰位等特征，可推断出载流子浓度。
二次离子质谱法：用高能量的离子束轰击样品表面，使样品中的原子或分子以离子形式溅射出来，然后通过质谱仪对溅射出来的离子进行分析，根据离子的种类和强度，得到样品中各种元素和杂质的浓度分布，进而推算出载流子浓度。
半导体二极管、半导体三极管、场效应晶体管、集成电路芯片、太阳能电池、发光二极管、激光二极管、光电探测器、光耦合器、晶闸管、功率晶体管、肖特基二极管、齐纳二极管、变容二极管、PIN 二极管、半导体传感器、半导体激光器、有机半导体材料、碳化硅器件、氮化镓器件、氧化锌半导体、石墨烯材料、量子点材料、半导体纳米线、铁电半导体材料、磁性半导体材料等。
GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法
GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
SJ 3248-1989 重掺砷化镓和磷化铟载流子浓度的红外反射测试方法
SJ 3244.1-1989 砷化镓和磷化铟材料霍尔迁移率和载流子浓度的测量方法
1、报告无“研究测试专用章”或公章无效，报告无防伪二维码无效;
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