硅片表面元素污染检测

检测项目

钠离子残留量、钾离子浓度、铁元素分布、铜元素扩散深度、铝元素表面吸附量、锌元素迁移量、镍元素沉积厚度、铬元素氧化态分析、钛元素界面浓度、钨元素颗粒尺寸、钴元素薄膜污染、锰元素晶界偏析、钙元素表面覆盖率、镁元素刻蚀残留量、铅元素扩散系数、镉元素迁移路径分析、汞元素挥发特性研究、砷元素掺杂异常监测、锑元素界面反应产物分析、氯离子表面浓度分布、硫化物残留量测定、氟化物刻蚀残留量分析、碳氢化合物薄膜厚度测量、有机硅氧烷聚合物残留量测定、光刻胶分解产物分析、抗反射涂层成分异常监测、纳米颗粒粒径分布统计、微米级划痕金属污染评估、晶圆边缘污染物富集度分析

检测范围

单晶硅抛光片（8英寸/12英寸）、多晶硅铸锭切片（156mm156mm）、SOI晶圆（绝缘体上硅）、外延生长硅片（EPI）、退火处理晶圆（AnnealedWafer）、化学机械抛光片（CMPWafer）、离子注入后处理晶圆（ImplantedWafer）、光刻胶涂覆硅片（PRCoated）、金属沉积后晶圆（Al/Cu/TiNCoated）、低介电常数介质层硅片（Low-kWafer）、高介电栅极结构晶圆（High-kMetalGate）、氮化硅钝化层样品（SiNPassivation）、二氧化硅热氧化层晶圆（ThermalOxideWafer）、化学气相沉积钨插塞样品（CVDWPlug）、原子层沉积钽阻挡层晶圆（ALDTaBarrier）、电镀铜互连结构样品（ECDCuInterconnect）、干法刻蚀后残留物分析样品（Post-etchResidue）、湿法清洗后表面状态测试样片（Post-cleaningMonitorWafer）、化学气相沉积多晶硅栅极结构样片（CVDPoly-SiGate）、分子束外延锗硅异质结样品（MBESiGeHeterojunction）、快速热退火处理测试样片（RTAProcessMonitor）、等离子体增强化学气相沉积氮化硅样品（PECVDSiN）、物理气相沉积钛/氮化钛叠层样片（PVDTi/TiNStack）、化学镀镍金凸点样品（ElectrolessNi/AuBump）、键合界面污染物分析样片（WaferBondingInterface）、切割道金属污染监控样片（DicingStreetMonitor）、背面金属化处理晶圆（BacksideMetallizationWafer）

检测方法

X射线光电子能谱(XPS)：通过测量光电子动能确定表面5nm内元素的化学态及浓度分布

飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)：利用脉冲离子束溅射表面原子进行质量分析，实现三维成分成像

全反射X射线荧光光谱(TXRF)：基于全反射几何条件增强信号强度，检测ppb级金属污染物

电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)：溶解表面污染物后测定溶液中痕量金属含量

原子力显微镜(AFM)：通过探针扫描获得表面形貌及纳米级颗粒分布数据

扫描电子显微镜-能谱仪(SEM-EDS)：结合形貌观察与微区成分分析的联用技术

辉光放电质谱(GDMS)：利用辉光放电电离样品进行体材料杂质深度剖析

傅里叶变换红外光谱(FTIR)：检测有机污染物特征官能团振动吸收峰

激光诱导击穿光谱(LIBS)：通过激光烧蚀产生等离子体进行快速多元素分析

俄歇电子能谱(AES)：适用于亚微米区域表面成分及深度剖面分析

检测标准

SEMIMF1726-1109硅片表面金属污染测试方法规范

ISO14237:2010表面化学分析-二次离子质谱法测定硅中硼含量

ASTMF1526-00(2021)用全反射X射线荧光光谱法测定硅片表面金属杂质的标准试验方法

JISH0605:2021硅晶体中杂质元素的荧光X射线分析方法

GB/T24577-2019硅片表面金属污染物的全反射X射线荧光光谱测试方法

SEMIC3.40-0817300mm硅片表面颗粒计数与尺寸分布测试指南

IEC60749-32:2022半导体器件-机械和环境试验方法-第32部分：塑封器件的易燃性

ASTME1217-11(2019)俄歇电子能谱仪和X射线光电子能谱仪中信号强度测量的标准实施规程

ISO18118:2015表面化学分析-俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的定量分析指南

SEMIM59-1108半导体制造用化学品中痕量金属杂质的测试规程

检测仪器

ThermoScientificK-AlphaXPS系统：配备单色化AlKαX射线源和半球能量分析器，空间分辨率达30μm

ION-TOFTOF.SIMS5型二次离子质谱仪：配置Bi/Mn双源枪束系统，质量分辨率＞20,000m/Δm

RigakuNEXCGTXRF分析仪：采用Mo/W双靶设计，检出限达1E9atoms/cm级别

Agilent8900ICP-QQQ-MS：三重四极杆设计实现超痕量元素分析，具备MS/MS模式干扰消除功能

BrukerDimensionIcon原子力显微镜：峰值力轻敲模式可进行纳米级形貌与力学性能同步测量

TESCANMIRA4SEM-EDS系统：场发射电子枪配合大面积SDD探测器实现高速面分布分析

HoribaGD-Profiler2辉光放电质谱仪：射频源功率可达50W，深度分辨率优于10nm/层

PerkinElmerFrontierFTIR光谱仪：配置ATR附件实现无损有机物快速筛查，光谱范围覆盖7800-350cm⁻

AppliedSpectraJ200LIBS系统：飞秒激光器结合六通道光谱仪完成多元素同步快速分析

PHI710AugerNanoprobe俄歇电子能谱仪：配备同轴电子枪和CMA能量分析器，空间分辨率达8nm

检测服务流程

沟通检测需求：为精准把握客户需求，我们会仔细审核申请内容，与客户深入交流，精准识别样品类型、明确测试要求，全面收集相关信息，确保无遗漏。

签订协议：根据沟通确定的检测需求及商定的服务细节，为客户定制包含委托书及保密协议的个性化协议。后续检测严格依协议执行。

样品前处理：收到样品后，开展样品预处理、制样及标准溶液制备等前处理工作。凭借先进仪器设备和专业技术人员，科学严谨对待每个细节，保证前处理规范准确。

试验测试：此为检测核心环节。运用规范实验测试方法精确检测每个样品，实验设计与操作均遵循科学标准，保障测试结果准确且可重复。

出具报告：测试结束立即生成详尽检测报告，经严格审核确保结果可靠准确，审核通过后交付客户。

我们秉持严谨踏实的态度，提供高品质、专业化检测服务。服务全程可追溯，严格遵守保密协议，保障客户满意度与信任度。