芯片失效检测涵盖三大核心项目：电性参数异常分析、物理结构缺陷诊断及环境应力失效验证。电性测试包括静态/动态电流特性、阈值电压漂移、信号完整性等23项参数测量；物理缺陷检测聚焦金属层断裂、介电层击穿、焊点脱落等微观结构异常；环境应力测试包含温度循环（-65℃~150℃）、机械振动（20~2000Hz）、湿度加速（85℃/85%RH）等可靠性验证。
本检测体系覆盖28nm至3nm先进制程的逻辑芯片、存储器件及功率半导体：
1. 消费电子领域：手机SoC、AI加速芯片的ESD防护能力评估
2. 汽车电子领域：IGBT模块的HTRB高温反偏测试与AEC-Q100认证
3. 工业控制领域：FPGA器件的TDDB时变介质击穿特性分析
4. 航天军工领域：抗辐射加固芯片的SEE单粒子效应验证
特殊应用场景包含5G基站GaN射频器件的热载流子注入（HCI）测试及3D封装芯片的TSV通孔完整性检测。
采用三级递进式分析架构：
一级电学定位：运用TIVA热诱导电压变化技术实现纳米级漏电路径定位，结合OBIRCH光学束诱导电阻变化法进行故障点快速筛查。
二级物理剖析：通过FIB-SEM双束系统完成截面制备与纳米探针测试，配合EELS电子能量损失谱进行元素分布解析。
三级失效复现：构建JEDEC标准JESD22-A108E温度循环试验箱与ULTRATECH动态信号注入平台模拟实际工况。
关键设备配置包含：
1. 纳米探针系统：KLA VersaProbe 4实现0.5nm空间分辨率的微区IV曲线测量
2. 三维X射线显微镜：ZEISS Xradia 620 Versa具备1μm级封装缺陷识别能力
3. 原子力显微镜：Bruker Dimension Icon支持导电AFM模式下的载流子迁移率测绘
4. 二次离子质谱仪：CAMECA IMS 7f-auto实现ppb级杂质浓度深度剖析
5. 激光信号注入平台：Hamamatsu PHEMOS-1000完成10ps级时序故障分析
配套Keysight B1500A半导体参数分析仪与Thermo Fisher Talos F200X透射电镜构成完整分析链。
沟通检测需求：为精准把握客户需求，我们会仔细审核申请内容，与客户深入交流，精准识别样品类型、明确测试要求，全面收集相关信息，确保无遗漏。
签订协议：根据沟通确定的检测需求及商定的服务细节，为客户定制包含委托书及保密协议的个性化协议。后续检测严格依协议执行。
样品前处理：收到样品后，开展样品预处理、制样及标准溶液制备等前处理工作。凭借先进仪器设备和专业技术人员，科学严谨对待每个细节，保证前处理规范准确。
试验测试：此为检测核心环节。运用规范实验测试方法精确检测每个样品，实验设计与操作均遵循科学标准，保障测试结果准确且可重复。
出具报告：测试结束立即生成详尽检测报告，经严格审核确保结果可靠准确，审核通过后交付客户。
我们秉持严谨踏实的态度，提供高品质、专业化检测服务。服务全程可追溯，严格遵守保密协议，保障客户满意度与信任度。
