半导体材料检测

半导体材料检测是确保其性能与质量的关键。通过对材料的晶体结构、杂质含量、电学性能(如电阻率、载流子浓度)、光学特性、表面形貌、缺陷分布等项目检测，保障半导体器件制造的可靠性与稳定性。

检测项目

晶体结构分析、晶向测定、晶格常数测量、杂质含量分析、电阻率测量、载流子浓度测定、迁移率测量、霍尔系数测量、禁带宽度测量、光学吸收系数测量、光致发光光谱分析、电致发光光谱分析、反射率测量、透射率测量、折射率测量、表面粗糙度测量、表面形貌观察、原子力显微镜分析、扫描电子显微镜分析、透射电子显微镜分析、X 射线衍射分析、俄歇电子能谱分析、光电子能谱分析、二次离子质谱分析、缺陷密度测量、位错密度测量、层错分析、晶界分析、应力测量、热导率测量、热膨胀系数测量、介电常数测量、击穿电压测量、漏电流测量、电子迁移率测量、空穴迁移率测量等。

适用范围

硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、氧化锌、硫化镉、硒化镉、碲化镉、锑化铟、铝镓砷、铝铟磷、镓铟砷、镓铟磷、铟镓氮、氮化铝、氮化硼、金刚石、石墨烯、碳纳米管、富勒烯、硅锗合金、铟镓砷磷、硫化锌、硒化锌、碲化锌、氧化铟锡、钛酸钡、铌酸锂、钽酸锂、铁电薄膜、压电薄膜等。

相关检测标准

GB/T 1550-2018非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T 1555-2009半导体单晶晶向测定方法

GB/T 2900.32-1994电工术语 电力半导体器件

GB/T 14844-2018半导体材料牌号表示方法

SJ 20744-1999半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则

YS/T 1216-2018硒化镉

YS/T 1224-2018超高纯锌

YS/T 1413-2021超高纯铟

YS/T 918-2013超高纯汞

办理检测报告的目的

1、评定产品质量的好坏;

2、判断产品质量等级，即缺陷严重程度;

3、对工艺流程进行检验和工序质量的监督;

4.对质量数据进行搜集统计与分析，以便为质量改进与质量管理活动的开展奠定基础;

5.引入仲裁检验判断质量事故责任。

检测报告的注意事项

1.报告中没有“研究测试专用章”和公章，报告没有防伪二维码无效;

2.复制的报告不复盖“研究测试专用章”或者公章无效;

3.报告没有主检，审查，审批人员签名无效;

4.涂改报告无效的;

5.检测报告如有异议，应当在收到报告后15日内提出，逾期不予受理;