硅外延片检测聚焦其品质把控。针对外延层厚度、掺杂浓度、晶体完整性、表面平整度、缺陷密度等关键指标开展测定,评估硅外延片能否满足集成电路制造等高端应用需求,保障半导体器件性能与可靠性。
外延层厚度、掺杂浓度、电阻率、载流子浓度、迁移率、少数载流子寿命、表面粗糙度、平整度、翘曲度、弯曲度、晶向、晶体完整性、位错密度、层错密度、颗粒污染、金属杂质含量、有机物杂质含量、氧化层厚度、氮化层厚度、外延层与衬底的粘附性、热导率、热膨胀系数、光学透过率、反射率、光致发光特性、电致发光特性、击穿电压、漏电流、电容 - 电压特性、电流 - 电压特性、霍尔效应参数、俄歇电子能谱、X 射线光电子能谱、二次离子质谱等。
同质硅外延片、异质硅外延片、N 型硅外延片、P 型硅外延片、高阻硅外延片、低阻硅外延片、厚外延层硅外延片、薄外延层硅外延片、单面硅外延片、双面硅外延片、抛光硅外延片、未抛光硅外延片、绝缘体上硅外延片、碳化硅上硅外延片、锗硅外延片、应变硅外延片、硅锗碳外延片、掺杂硅外延片、无掺杂硅外延片、气相外延硅外延片、分子束外延硅外延片、化学气相沉积硅外延片、物理气相沉积硅外延片、常压化学气相沉积硅外延片、低压化学气相沉积硅外延片、超高真空化学气相沉积硅外延片、金属有机化学气相沉积硅外延片、离子束外延硅外延片、液相外延硅外延片、快速热化学气相沉积硅外延片、外延片级联结构硅外延片、多晶硅外延片、纳米硅外延片、多孔硅外延片、微晶硅外延片、硅基化合物外延片等。
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