硅片电阻率检测什么单位可以做?检测项目及标准有哪些?费用是多少?中析检测研究所实验室可依据GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片等相关标准制定试验方案。对硅片检测的电阻率等项目进行检测分析。并出具严谨公正的硅片电阻率检测报告。
检测方法
四探针法:通过在硅片表面放置四个探针,施加电流并测量电压,计算出硅片的电阻率。适用于各种形状的样品,测量精度高,操作简单。
双探针法:通过两个探针施加电流并测量电压,计算出样品的电阻率。设备简单,成本低。
霍尔效应法:通过测量霍尔电压来计算材料的电阻率和载流子浓度。可以同时测量电阻率和载流子浓度,适用于多种半导体材料。
电桥法:利用电桥电路测量硅片的电阻,进而计算电阻率。测量精度高,适用于高阻材料。
直流电阻法:通过测量硅片在直流电流下的电压降,计算电阻率。设备简单,操作方便。
交流电阻法:通过测量硅片在交流电流下的电压降,计算电阻率。可以避免直流测量中的极化效应,测量精度较高。
微波法:利用微波在硅片中的传播特性,测量其衰减和相位变化,计算电阻率。非接触测量,适用于高阻材料。
光导法:通过光激发产生载流子,测量其导电性,计算电阻率。非接触测量,适用于高阻材料。
热探针法:通过热探针测量硅片的热导率和电导率,计算电阻率。非接触测量,适用于高阻材料。
电容法:通过测量硅片的电容变化,计算电阻率。非接触测量,适用于高阻材料。

检测范围
单晶硅片、多晶硅片、非晶硅片、微晶硅片、薄膜硅片、太阳能级硅片、半导体级硅片、电子级硅片、工业级硅片、高纯硅片、低纯硅片、掺杂硅片、N型硅片、P型硅片、外延硅片、SOI硅片(绝缘体上硅)、柔性硅片、透明硅片、导电硅片、绝缘硅片、半导体器件用硅片、集成电路用硅片、光电器件用硅片、传感器用硅片、微机电系统用硅片、光刻用硅片、封装用硅片、衬底用硅片、太阳能电池用硅片、光伏组件用硅片等。
相关检测标准
GB/T 40279-2021 硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法
GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片
GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
GB/T 32280-2015 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法
GB/T 30869-2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 15615-1995 硅片抗弯强度测试方法
GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层 电阻测定 非接触涡流法
GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法
检测报告注意事项
1、报告无“研究测试专用章”或公章无效,报告无防伪二维码无效;
2、复制报告未重新加盖“研究测试专用章”或公章无效;
3、报告无主检、审核、批准人签字无效;
4、报告涂改无效;
5、对检测报告若有异议,应于收到报告之日起十五日内提出,逾期不予受理;
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