半导体单晶晶向测定

  发布时间:2021-10-08 14:51:59

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半导体单晶晶向测定

检测项目:

单晶晶向测定等。

适用范围

元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体、非晶态与液态半导体、宽带隙半导体材料、低维半导体材料等。

相关检测标准

GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法

GB/T 39137-2020 难熔金属单晶晶向测定方法

GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法

SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法

HB 7762-2005 航空发动机用定向凝固柱晶和单晶高温合金锭规范

ANSI/ASTM D6058-2001 工作环境空气中单晶陶瓷须晶浓度测定惯例

SJ 3244.3-1989 砷化镓、磷化铟单晶晶向的测量方法

相关介绍

为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响,半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高,利用率高,比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低,往往可以得到质量较好的单晶。

检测报告注意事项

1、报告无“研究测试专用章”或公章无效,报告无防伪二维码无效;

2、复制报告未重新加盖“研究测试专用章”或公章无效;

3、报告无主检、审核、批准人签字无效;

4、报告涂改无效;

5、对检测报告若有异议,应于收到报告之日起十五日内提出,逾期不予受理;

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