硅光芯片耦合测试

  2021-11-12

硅光芯片耦合测试什么单位可以办理?检测项目及标准有哪些?费用是多少?中析检测研究所实验室可根据GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规等相关标准制定试验方案。对样品的工作耦合性能测试、贮存温度、工作环境温度等项目进行检测分析。并出具严谨公正的检测报告。

硅光芯片耦合测试

检测项目:

耦合性能测试、贮存温度、工作环境温度、结温、焊接温度、反向电压、环境温度为25 ℃下的直流正向电流、环境温度为25℃下的峰值正向电流、静电敏感电压、正向电压、反向电流、光功率、光通量、主波长、峰值发射波长、键合强度、剪切力、温度循环、循环湿热、恒定加速度、电耐久性、静电放电敏感度等。

适用范围

硅光收发芯片、模拟集成电路芯片、数字集成电路芯片、混合信号集成电路芯片等。

相关检测标准

DIN 58002-2001 集成光路.单模式光学芯片元件的近场测量

GB/T 37908-2019 基于光学椭偏成像的无标记蛋白质芯片分析方法通则

GB/T 37720-2019 识别卡 金融IC卡芯片技术要求

GB/T 37045-2018 信息技术 生物特征识别 指纹处理芯片技术要求

GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法

GB/T 4937.19-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分:芯片剪切强度

GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范

GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范

GB/T 2423.22-2012 环境试验 第2部分:试验方法 试验N:温度变化

GB/T 4589.1 2006 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范

GB/T 4937.1-2006 半导体器件 机械和气候试验方法第1部分:总则

SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法

S/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法

检测报告注意事项

1、报告无“研究测试专用章”或公章无效,报告无防伪二维码无效;

2、复制报告未重新加盖“研究测试专用章”或公章无效;

3、报告无主检、审核、批准人签字无效;

4、报告涂改无效;

5、对检测报告若有异议,应于收到报告之日起十五日内提出,逾期不予受理;

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