绝对外量子效率：测量器件在特定波长光激发下，发射出的光子数与入射光子数的比值，反映器件整体的光电转换能力。
绝对内量子效率：衡量被有源层吸收的入射光子中，转化为发射光子的比例，排除了光提取损耗的影响。
光致发光量子产率：针对材料本身，测量其受光激发后，发射光子数与吸收光子数的比值，是材料本征发光效率的关键参数。
发射光谱特性：分析单光子源发射光的光谱形状、峰值波长和半高宽，用于确认发射中心的性质和纯度。
二阶关联函数g(2)(0)值：通过汉伯里-布朗特威斯实验验证单光子特性，g(2)(0)小于0.5是单光子发射的黄金标准。
发射寿命与衰减动力学：测量单光子发射的时间衰减曲线，分析激发态寿命，有助于理解发光机理和缺陷态。
激发功率依赖性：研究发射强度与激发光功率的关系，用于判断是否饱和以及是否存在非辐射复合通道。
偏振特性：检测发射光的偏振态和偏振度，对于量子信息应用中的态制备至关重要。
温度依赖性：在不同温度下测试SPEQE，研究热效应对发光效率、光谱和寿命的影响。
稳定性与抗漂白性：评估单光子源在长时间或高强度激发下的亮度衰减情况，关乎器件的实用化寿命。
胶体量子点：如CdSe/ZnS核壳结构量子点，是重要的室温单光子源候选材料。
碳基纳米材料：包括碳纳米管、石墨烯量子点、碳点等，具有生物相容性好、稳定性高的特点。
二维材料缺陷：如六方氮化硼中的空位缺陷、二硫化钨中的点缺陷等，能产生室温下稳定的单光子发射。
色心系统：如金刚石中的NV色心、SiV色心，以及碳化硅中的各种色心，是固态量子技术的核心平台。
有机发光分子：特定的有机荧光分子或聚合物在低温下可表现出单光子发射特性。
钙钛矿量子点/纳米晶：新型高效的发光材料，其单光子发射性质是当前研究热点。
半导体量子点/纳米线：通过分子束外延等技术生长的应变量子点或纳米线，通常需要在低温下工作。
单分子：在低温或隔离环境下，单个有机分子可以作为理想的单光子源。
上转换纳米粒子：能够将低能量光子转换为高能量单光子的特殊纳米材料。
集成光子器件：将上述单光子源与波导、谐振腔等光子结构集成的器件，测试其芯片上的发射效率。
积分球光谱法：将样品置于积分球内，配合光谱仪和校准光源，直接测量绝对光致发光量子产率的标准方法。
汉伯里-布朗特威斯干涉法：使用分束器和两个单光子探测器进行符合计数测量，是判定单光子特性的核心方法。
时间相关单光子计数法：利用高精度时间测量设备记录单个光子的到达时间，用于测量荧光寿命和进行时间门控光谱分析。
共聚焦显微光谱法：结合共聚焦显微镜和高灵敏度光谱仪，实现对微纳尺度单光子发射点的定位、光谱和寿命测量。
低温恒温器测量法：将样品置于液氦或闭循环低温恒温器中，进行变温条件下的高精度光谱和效率测量。
脉冲激发时间分辨测量法：使用皮秒或飞秒脉冲激光器作为激发源，研究发射的瞬态动力学过程。
强度相关光谱法：通过分析发射光强度的自相关或互相关函数，获取发光动力学和单光子纯度信息。
偏振分辨检测法：在光路中加入偏振片或偏振分束器，分析发射光的偏振态及其与激发偏振的关系。
电致发光效率测试法：对于发光二极管结构的单光子源，需测量其电注入下的外量子效率，方法不同于光致发光。
光子统计重构法：通过高阶关联函数测量或状态层析技术，更全面地重构单光子源的量子态和统计特性。
积分球：内壁涂有高反射漫射涂层的球体，用于收集样品发射的所有方向的光子，是绝对量子效率测量的核心部件。
单光子光谱仪：配备深度制冷CCD或InGaAs阵列探测器的高灵敏度光谱仪，用于捕获极弱的光致发光光谱。
单光子探测器：如雪崩光电二极管、超导纳米线单光子探测器，具备极高的灵敏度和低暗计数，用于探测单个光子事件。
时间相关单光子计数模块：高精度电子学系统，用于记录光子到达时间，时间分辨率可达皮秒级。
共聚焦显微系统：包含高数值孔径物镜、精密三维样品台和针孔，实现亚微米空间分辨的激发与探测。
连续/脉冲激光器：提供稳定或超快时间特性的激发光源，波长需覆盖从紫外到近红外的范围。
低温恒温器：提供从液氦温度到室温的可控低温环境，通常与光学窗口和显微物镜集成。
符合计数仪：接收来自多个单光子探测器的信号，并计算在特定时间窗口内同时到达的符合计数。
校准光源：如标准卤钨灯或积分球光源，其光谱辐射亮度经过严格标定，用于系统响应函数的校准。
偏振光学元件：包括线偏振片、四分之一波片、偏振分束棱镜等，用于构建和控制激发与探测光的偏振态。
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