MOS管应力测试体系包含四大核心验证模块：
热应力测试：评估温度循环（-65℃~+175℃）与高温存储（最高300℃）条件下的封装材料膨胀系数匹配度及焊点可靠性
电应力测试：包括栅极击穿电压（VBR）、漏源导通电阻（RDS(on)）漂移及雪崩能量（EAS）耐受能力验证
机械应力测试：涵盖10~2000Hz随机振动谱模拟与50G机械冲击试验的封装结构完整性验证
综合环境应力测试：依据JESD22-A110标准执行温度-湿度-偏压（THB）三要素耦合加速老化试验
本检测技术适用于以下应用场景：
| 器件类型 | 典型参数范围 | 适用标准 |
|---|---|---|
| 功率MOSFET | 耐压30-1200V/电流10-500A | AEC-Q101 Rev-E |
| 低压MOSFET | 导通电阻0.5-20mΩ | JEDEC JESD24-12 |
| 高频MOSFET | 开关速度5-100ns | MIL-STD-750F |
| 集成MOS管模块 | 芯片尺寸5×5~20×20mm² | IPC-9701A |
执行JESD22-A104温度循环试验：设定温变速率15℃/min，保持时间30min/cycle
高温存储试验：150℃环境下持续加载VGS=±20V偏置电压1000小时
采用红外热成像仪实时监测结温分布均匀性（ΔT≤5℃）
1. 栅极耐压测试： - 阶梯式施加VGS(max)=±30V - 漏电流阈值IGSS<100nA 2. 雪崩能量测试： - L=200μH电感负载 - VDD=80% BVDSS - 单脉冲宽度≤10μs 3. RDS(on)漂移率测量： - ΔR/R0<15%@Tj=175℃
TSE-11-E3高低温冲击箱
- 温度范围：-70℃~+250℃
- 转换时间＜45秒（气氮冷却）
Keysight B1505A功率器件分析仪
- 最大电压3000V/电流1500A
- 电容测量精度±0.5% @1MHz
SINUS V950振动控制系统
- 频率分辨率0.1Hz
- 最大加速度60Grms（随机振动）
Cascade Summit 12000探针台
- Z轴定位精度±0.25μm
- RF探头带宽110GHz@-3dB
JEDEC
AEC
IEC
[典型温度循环曲线示意图]（注：实际内容生成时需替换为合规示意图）
重要提示：所有高压试验须符合IEC 61010-1安全规范要求，操作人员需取得III类电气设备操作资质。
沟通检测需求：为精准把握客户需求，我们会仔细审核申请内容，与客户深入交流，精准识别样品类型、明确测试要求，全面收集相关信息，确保无遗漏。
签订协议：根据沟通确定的检测需求及商定的服务细节，为客户定制包含委托书及保密协议的个性化协议。后续检测严格依协议执行。
样品前处理：收到样品后，开展样品预处理、制样及标准溶液制备等前处理工作。凭借先进仪器设备和专业技术人员，科学严谨对待每个细节，保证前处理规范准确。
试验测试：此为检测核心环节。运用规范实验测试方法精确检测每个样品，实验设计与操作均遵循科学标准，保障测试结果准确且可重复。
出具报告：测试结束立即生成详尽检测报告，经严格审核确保结果可靠准确，审核通过后交付客户。
我们秉持严谨踏实的态度，提供高品质、专业化检测服务。服务全程可追溯，严格遵守保密协议，保障客户满意度与信任度。
