场发射透射电镜分析

检测项目

• 晶体结构解析：通过选区电子衍射（SAED）与高分辨成像（HRTEM）测定晶格常数与晶面取向
• 纳米材料表征：粒径分布统计（统计样本≥200颗粒）、表面形貌三维重构（倾转角度±70°）
• 元素成分分析：结合能谱仪（EDS）进行点/线/面扫元素定量（探测限≥0.1wt%）
• 缺陷分析：位错密度计算（误差范围±5%）、层错能测定（精度±3%）
• 动态过程观测：原位加热/拉伸实验（温度范围RT-1300℃/应变速率10^-5-10^-3 s^-1）

检测范围

• 材料科学领域：
  • 金属及合金：晶界特征分布（GBCD）分析
  • 陶瓷材料：相变过程追踪（时间分辨率≤0.1s）
  • 高分子复合材料：界面结合状态表征
• 半导体行业：
  • 芯片封装缺陷检测（最小识别尺寸≤0.5nm）
  • 量子点能带结构测定（能量分辨率≤0.8eV）
• 生物医学应用：
  • 病毒颗粒三维重构（分辨率≤2Å）
  • 药物载体缓释机制研究（时间序列采样间隔≥5ms）
• 能源材料研究：
  • 锂离子电池电极材料相变观测
  • 催化剂表面活性位点分布测绘

检测方法

• 样品制备规范：
  • 机械减薄：最终厚度≤100nm（适用于金属/陶瓷）
  • 离子束刻蚀：加速电压≤5kV（防止非晶化）
  • 超薄切片：切片厚度50-70nm（生物样品）
• 成像参数设置：
  • 加速电压选择：200-300kV（常规模式）/80kV（束敏感样品）
  • 束流密度控制：1-10pA/cm²（防止样品损伤）
  • C_s校正器使用：球差系数≤0.05mm
• 数据处理标准：
  • FFT滤波处理：窗函数选择Hamming函数
  • EDS定量分析：Cliff-Lorimer法修正吸收效应
  • 三维重构算法：加权背投影法（WBP）迭代次数≥20次
• 质量控制要点：
  • 每日进行束对中校准（误差≤0.1mrad）
  • 每周执行CCD相机线性度测试（R²≥0.999）
  • 每月开展真空系统检漏（漏率≤1×10^-10 mbar·L/s）

检测仪器

• 核心系统配置要求：
  • 电子光学系统：
    • 场发射电子枪亮度≥5×10⁸A/cm²·sr
    • 物镜球差系数C_S/C_C<0.5mm/1.2mm

检测仪器续写修正版:

• 核心系统配置要求：
  • 电子光学系统

    检测流程

    沟通检测需求：为精准把握客户需求，我们会仔细审核申请内容，与客户深入交流，精准识别样品类型、明确测试要求，全面收集相关信息，确保无遗漏。

    签订协议：根据沟通确定的检测需求及商定的服务细节，为客户定制包含委托书及保密协议的个性化协议。后续检测严格依协议执行。

    样品前处理：收到样品后，开展样品预处理、制样及标准溶液制备等前处理工作。凭借先进仪器设备和专业技术人员，科学严谨对待每个细节，保证前处理规范准确。

    试验测试：此为检测核心环节。运用规范实验测试方法精确检测每个样品，实验设计与操作均遵循科学标准，保障测试结果准确且可重复。

    出具报告：测试结束立即生成详尽检测报告，经严格审核确保结果可靠准确，审核通过后交付客户。

    我们秉持严谨踏实的态度，提供高品质、专业化检测服务。服务全程可追溯，严格遵守保密协议，保障客户满意度与信任度。

    /d/file/p/ea/29/7091.jpg/d/file/p/ea/29/7091.jpg
    本文链接：http://test.yjssishiliu.com/qitajiance/7091.html
    
    上一篇：塞贝克系数测试
    下一篇：X射线荧光光谱分析