四探针电阻率测试

四探针电阻率测试有哪些参考依据?检测标准有哪些?费用是多少?中析检测研究所实验室可依据相关标准制定试验方案。对导电陶瓷薄膜、硅晶体、硅晶片等样品进行检测分析。并出具严谨公正的检测报告。

项目简介

四探针测试技术，简称为四探针法，是测量半导体电阻率最常用的一种方法;

四探针测试技术，是用4根等间距配置的探针扎在半导体表面上，由恒流源给外侧的两根探针提供一个适当小的电流I，然后测量出中间两根探针之间的电压V，就可以求出半导体的电阻率。对于厚度为W(远小于长和宽)的薄半导体片，得到电阻率为ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系数。

适用样品

锗单晶、导电陶瓷薄膜、硅晶体、硅晶片、硅棒、硅外延层、半导体材料等。

粉体提供3-5g，压片测试，至少保证压实后体积不小于1cm3;薄膜，提供准确膜厚，厚度均匀;块体上下平行，最好抛光处理;厚度务必在 50μm至3mm之间，不得超过3mm，长宽最佳尺寸：10mm×10mm以上。

相关参考标准

GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法

KS L 1619-2013(2018) 四探针阵列导电陶瓷薄膜电阻率测试方法

KS C 0256-2002(2017) 具有四点探针的硅晶体和硅晶片的电阻率测试方法

KS C 0256-2002(2022) 硅晶体和硅片电阻率的四点探针测试方法

ASTM F672-88(1995)e1 用扩展电阻探针测量垂直于硅片表面电阻率分布的标准试验方法

ASTM F397-93(1999) 用两点探针测定硅棒电阻率的标准试验方法

JIS R1637-1998 用四点探针排列法测定传导精细陶瓷薄膜电阻率的试验方法

SJ/T 10481-1994 硅外延层电阻率的面接触三探针.测试方法

SJ/T 10314-1992 直流四探针电阻率测试仪通用技术条件

KS D 0260-1989(1994) 具有四点探针的单晶硅片的电阻率测试方法

DIN 50431-1988 半导体材料的试验.用探针直线排列的四探针/直流法测量单晶硅或锗单晶体的电阻率

办理检测报告的目的

1、评定产品质量的好坏;

2、判断产品质量等级，即缺陷严重程度;

3、对工艺流程进行检验和工序质量的监督;

4.对质量数据进行搜集统计与分析，以便为质量改进与质量管理活动的开展奠定基础;

5.引入仲裁检验判断质量事故责任。

检测报告的注意事项

1.报告中没有“研究测试专用章”和公章，报告没有防伪二维码无效;

2.复制的报告不复盖“研究测试专用章”或者公章无效;

3.报告没有主检，审查，审批人员签名无效;

4.涂改报告无效的;

5.检测报告如有异议，应当在收到报告后15日内提出，逾期不予受理;