太阳能级多晶硅检测

  发布时间:2025-05-13 15:41:21

检测项目

太阳能级多晶硅核心检测体系包含六大类21项关键技术指标:

  • 基础物性指标:表观密度(≥2.32g/cm³)、粒径分布(D50:800-1200μm)、表面粗糙度(Ra≤0.5μm)
  • 化学纯度指标:总金属杂质含量(≤1ppmw)、施主杂质(磷≤0.3ppbw)、受主杂质(硼≤0.5ppbw)
  • 电学特性指标:体电阻率(1-3Ω·cm)、少子寿命(≥20μs)、载流子浓度(5×10¹⁵~1×10¹⁶cm⁻³)
  • 表面污染控制:有机残留物(GC-MS检出限≤0.1ppm)、颗粒附着量(SEM-EDX定量分析)

检测范围

检测对象覆盖多晶硅全生命周期物料形态:

  • 原料阶段:冶金级硅粉(粒径45-150μm)、三氯氢硅气体(纯度≥99.9999%)
  • 制备过程:还原炉沉积棒料(直径150-200mm)、破碎料(粒度分布0.5-5mm)
  • 回收物料:切割废料浆(Si含量≥70%)、破损硅片(碎片率≤5%)

特殊应用场景需扩展检测维度:N型硅片额外要求氧含量≤5×10¹⁷atoms/cm³;PERC电池用硅料需控制碳含量≤1×10¹⁶atoms/cm³。

检测方法

标准化检测流程依据ASTM F1724及SEMI PV22-0217规范实施:

  • 痕量元素分析:辉光放电质谱法(GDMS)测定B、P等电活性杂质;电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)用于Fe、Cr等金属杂质定量
  • 电学性能测试:四探针法测量薄层电阻;微波光电导衰减(μ-PCD)测定少子寿命
  • 表面污染物检测:全反射X射线荧光光谱(TXRF)进行表面金属污染扫描;激光剥蚀电感耦合等离子体光谱(LA-ICP-OES)实现三维污染分布分析

检测仪器

关键设备配置需满足ISO/IEC 17025体系要求:

  • 高分辨辉光放电质谱仪:配备双聚焦磁质谱系统(质量分辨率≥10000),实现ppb级杂质定量
  • 微波光电导衰减仪:采用532nm脉冲激光源(脉宽<50ns),时间分辨率达1ns级
  • 扫描电子显微镜系统:配备EBSD探头及能谱仪(空间分辨率≤5nm),具备自动晶界统计功能
  • 高温霍尔效应测试系统:温度范围77-800K,磁场强度±1.5T,满足ASTM F76标准要求

    检测流程

    沟通检测需求:为精准把握客户需求,我们会仔细审核申请内容,与客户深入交流,精准识别样品类型、明确测试要求,全面收集相关信息,确保无遗漏。

    签订协议:根据沟通确定的检测需求及商定的服务细节,为客户定制包含委托书及保密协议的个性化协议。后续检测严格依协议执行。

    样品前处理:收到样品后,开展样品预处理、制样及标准溶液制备等前处理工作。凭借先进仪器设备和专业技术人员,科学严谨对待每个细节,保证前处理规范准确。

    试验测试:此为检测核心环节。运用规范实验测试方法精确检测每个样品,实验设计与操作均遵循科学标准,保障测试结果准确且可重复。

    出具报告:测试结束立即生成详尽检测报告,经严格审核确保结果可靠准确,审核通过后交付客户。

    我们秉持严谨踏实的态度,提供高品质、专业化检测服务。服务全程可追溯,严格遵守保密协议,保障客户满意度与信任度。

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