锗单晶片检测

  发布时间:2025-05-13 15:37:53

检测项目

锗单晶片的质量评价体系包含五大核心模块:

  • 电学性能指标:电阻率(0.1-50 Ω·cm)、载流子浓度(1×10¹³-5×10¹⁶ cm⁻³)、霍尔迁移率(1000-4000 cm²/(V·s))
  • 结构完整性指标:位错密度(≤500 cm⁻²)、晶向偏差(±0.5°内)、孪晶界面比例(<0.1%)
  • 表面质量参数:表面粗糙度Ra(≤5 nm)、划痕深度(<1 μm)、颗粒污染度(Class 100级)
  • 几何特性参数:直径公差(±0.2 mm)、厚度均匀性(±25 μm)、弯曲度(≤50 μm/100mm)
  • 杂质含量分析:氧含量(<1×10¹⁶ atoms/cm³)、碳含量(<5×10¹⁵ atoms/cm³)、重金属杂质总量(<1 ppm)

检测范围

本检测体系适用于以下类型锗单晶片的质量控制:

  • 掺杂类型:P型(镓掺杂)、N型(砷/锑掺杂)及本征型单晶片
  • 尺寸规格:直径50-200mm系列产品,厚度0.3-5.0mm范围晶圆
  • 应用领域:红外窗口片(8-14μm波段)、太阳能电池基板、γ射线探测器衬底
  • 加工阶段:从原始晶锭到抛光处理后的成品晶圆全过程监控
  • :抗反射镀膜片、减薄加工片(厚度<200μm)的破坏性测试

检测方法

  • 四探针法:依据ASTM F84标准测量电阻率分布,采用线性四点探针阵列进行面扫描测量
  • 霍尔效应测试法:通过范德堡电极配置法测定载流子浓度与迁移率参数
  • X射线衍射法:使用高分辨XRD分析晶体取向偏差与孪晶缺陷密度
  • :采用CP4腐蚀液(HNO₃:HF:CH₃COOH=5:3:3)显示位错蚀坑并统计密度值
  • :在10×10μm²扫描区域内测定表面粗糙度RMS值及微观形貌特征
  • :深度剖析氧、碳等轻元素杂质浓度分布曲线

检测仪器

  • :Keithley 2636B源表配合自动探针台实现全自动电阻率测绘
  • :Lake Shore 8404系列霍尔测试系统(磁场强度1.5T)
  • :Rigaku SmartLab系统配备Ge(220)四晶单色器(分辨率<15arcsec)
  • :Zygo NewView9000三维表面轮廓仪实现纳米级粗糙度测量
  • :Thermo Fisher Element GD Plus型设备(检出限达ppb级)
  • :Bruker Vertex80v真空型系统测定8-14μm波段透过率曲线
  • :J.A.Woollam M-2000UI宽光谱膜厚测量系统(波长范围

    检测流程

    沟通检测需求:为精准把握客户需求,我们会仔细审核申请内容,与客户深入交流,精准识别样品类型、明确测试要求,全面收集相关信息,确保无遗漏。

    签订协议:根据沟通确定的检测需求及商定的服务细节,为客户定制包含委托书及保密协议的个性化协议。后续检测严格依协议执行。

    样品前处理:收到样品后,开展样品预处理、制样及标准溶液制备等前处理工作。凭借先进仪器设备和专业技术人员,科学严谨对待每个细节,保证前处理规范准确。

    试验测试:此为检测核心环节。运用规范实验测试方法精确检测每个样品,实验设计与操作均遵循科学标准,保障测试结果准确且可重复。

    出具报告:测试结束立即生成详尽检测报告,经严格审核确保结果可靠准确,审核通过后交付客户。

    我们秉持严谨踏实的态度,提供高品质、专业化检测服务。服务全程可追溯,严格遵守保密协议,保障客户满意度与信任度。

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