砷化镓单晶检测

检测项目

砷化镓单晶质量评价涵盖三大类共12项核心指标：

• 物理性能：晶体取向偏差（±0.1°）、位错密度（≤500 cm⁻²）、表面粗糙度（Ra≤0.5nm）
• 化学特性：镓砷比（1:1±0.0005）、碳氧杂质（C≤1×10¹⁶ cm⁻³, O≤5×10¹⁵ cm⁻³）、重金属污染（Fe,Cu≤1×10¹³ cm⁻³）
• 电学参数：载流子浓度（5×10¹⁴~1×10¹⁸ cm⁻³）、迁移率（≥6000 cm²/V·s）、电阻率（0.001~10 Ω·cm）
• 缺陷表征：微管密度（≤10 cm⁻²）、层错概率（≤0.1%）、孪晶界面比例（≤3%）

检测范围

检测方法

1. X射线衍射法（XRD）: 采用θ-2θ联动扫描模式测定(100)面晶格常数(5.6533±0.0003Å)，使用四晶单色器将CuKα1辐射发散度控制在12arcsec内。
2. 扫描电子显微术（SEM）: 配备电子背散射衍射(EBSD)探头进行亚微米级晶界分析，加速电压15kV时空间分辨率达5nm。
3. 霍尔效应测试系统: 范德堡法测量载流子浓度与迁移率，磁场强度0.5T下实现±3%测量不确定度。
4. 二次离子质谱（SIMS）: Cs+离子源溅射速率0.5nm/s条件下完成B~U元素深度剖析，检出限达1×10¹² atoms/cm³。
5. 光致发光谱（PL）: 77K低温环境中采用532nm激光激发，通过1.49eV处峰位半高宽评估晶体完整性。
6. 化学腐蚀法: AB腐蚀液(3H₂O:1H₂SO₄:1H₂O₂)在40℃恒温槽中处理3分钟显示位错蚀坑。

检测仪器

高分辨X射线衍射仪（HRXRD）:

配备四轴测角仪(精度±0.0001°)、Ge(220)四重反射单色器、二维Pixel探测器

场发射扫描电镜（FE-SEM）:

电子光学系统含浸没式物镜与静电-磁式复合透镜组合，二次电子分辨率0.6nm@15kV

低温强磁场测试平台:

集成14T超导磁体与闭循环制冷系统(4~300K)，配备四探针样品台接触电阻＜0.1Ω

辉光放电质谱仪（GD-MS）:

射频源频率13.56MHz配合脉冲模式(250μs/50Hz)，实现ppb级体杂质分析

原子力显微镜（AFM）:

Tapping模式扫描范围100μm×100μm，Z轴分辨率0.05nm，配备金刚石探针(曲率半径10nm)

傅里叶红外光谱仪（FTIR）:

液氮冷却MCT探测器覆盖400-4000cm⁻¹波段，光谱分辨率0.25cm⁻¹@4cm⁻¹/s扫描速度

注：所有仪器均需定期通过NIST标准物质进行计量溯源验证，实验室环境需满足ISO 17025要求的温度波动±1℃/h、相对湿度50±5%RH条件

检测流程

沟通检测需求：为精准把握客户需求，我们会仔细审核申请内容，与客户深入交流，精准识别样品类型、明确测试要求，全面收集相关信息，确保无遗漏。

签订协议：根据沟通确定的检测需求及商定的服务细节，为客户定制包含委托书及保密协议的个性化协议。后续检测严格依协议执行。

样品前处理：收到样品后，开展样品预处理、制样及标准溶液制备等前处理工作。凭借先进仪器设备和专业技术人员，科学严谨对待每个细节，保证前处理规范准确。

试验测试：此为检测核心环节。运用规范实验测试方法精确检测每个样品，实验设计与操作均遵循科学标准，保障测试结果准确且可重复。

出具报告：测试结束立即生成详尽检测报告，经严格审核确保结果可靠准确，审核通过后交付客户。

我们秉持严谨踏实的态度，提供高品质、专业化检测服务。服务全程可追溯，严格遵守保密协议，保障客户满意度与信任度。